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標(biāo)簽 > ddr5
DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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芯動科技量產(chǎn)LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案
日前,芯動科技率先突破10Gbps,以先進(jìn)FinFet工藝量產(chǎn)了全球最快的LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案,速度領(lǐng)先市場最高端LPDDR...
現(xiàn)代工作負(fù)載正在重新定義下一代數(shù)據(jù)中心
目前數(shù)據(jù)中心容納了全球約三分之一的數(shù)據(jù)。2020年的數(shù)據(jù)量大約是20ZB,預(yù)計到2025年都將保持15-20%的年增長率。數(shù)據(jù)中心面臨的挑戰(zhàn)不僅包括需要...
2022-06-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心美光工作負(fù)載 948 0
RA2E2單片機(jī)組適用于DDR5 DIMM LED的控制應(yīng)用
RA2E2 組在尺寸僅為 4.00 x 4.00mm 的 24 引腳 HW 四方扁平無引腳 (HWQFN) 封裝中提供 6 通道的通用 PWM 定時...
DRAM面臨庫存積壓,長江存儲發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD
長江存儲今天推出了新款消費級固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000,該產(chǎn)品采用基于晶棧 2.0(Xtacking2.0)架構(gòu)的長江存儲第三代三維閃存芯片。
與產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)者攜手共進(jìn),三家繼續(xù)聯(lián)手舉辦高速接口測試論壇2021年會
中國北京2022年1月24日 – 由安立, 泰克科技, GRL聯(lián)合舉辦的2021高速接口測試論壇年會,于2022年1月6號在上海浦東喜來登大酒店順利召開。
Rambus DDR5:賦能中國下一代數(shù)據(jù)中心
在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)等大趨勢的共同推動下,中國的數(shù)據(jù)流量正在呈指數(shù)增長。據(jù)IDC預(yù)測,到2025年,中國將擁有約占全球三分之...
2022-01-14 標(biāo)簽:Rambus數(shù)據(jù)中心DDR5 936 0
2021年已然結(jié)束,2022年已經(jīng)拉開帷幕,在2022年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的什么技術(shù)會影響這一年的商業(yè)發(fā)展,又會有哪些技術(shù)會改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場格局呢?電子發(fā)燒...
設(shè)計驗證工程師需要測試他們的LPDDR/DDR發(fā)射器(Tx)和接收器(Rx)設(shè)計,以確保符合行業(yè)規(guī)范和與其他組件的互操作性。
2021-11-24 標(biāo)簽:信號完整性增強(qiáng)現(xiàn)實DDR5 1284 0
Rambus發(fā)布業(yè)界首款5600 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)
Rambus發(fā)布業(yè)界首款5600 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD),進(jìn)一步提升服務(wù)器存儲性能。
瑞薩電子推出工業(yè)溫度級DDR5和DDR4寄存時鐘驅(qū)動器
智能邊緣和開放式無線接入網(wǎng)絡(luò)(O-RAN)等新興領(lǐng)域?qū)鹘y(tǒng)計算與通信架構(gòu)相融合,這需要能夠承受網(wǎng)絡(luò)邊緣惡劣環(huán)境的服務(wù)器元器件。
Longsys DDR5與Intel最新處理器同日亮相,雙形態(tài)助力PC終端升級
江波龍電子(以下簡稱“Longsys”)緊跟存儲行業(yè)發(fā)展前沿,為了滿足行業(yè)客戶以及廣大用戶對產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望,早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-D...
金泰克速虎T4 DDR5內(nèi)存正式發(fā)售 大容量 高頻率 低功耗
2020年,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始。進(jìn)入2021年,多家存...
DDR5進(jìn)入放量元年,內(nèi)存性能提升50%以上!
近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣...
2021-10-25 標(biāo)簽:DDR5 8016 0
中國閃存市場峰會CFMS2021圓滿落幕!產(chǎn)業(yè)鏈大咖精彩演講內(nèi)容揭曉
據(jù)閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù),2021年全球存儲市場規(guī)模將超過1500億美元,增長26%,其中DRAM為910億美元,NAND Fla...
江波龍電子獲廣東省工程技術(shù)研究中心認(rèn)定,未來持續(xù)加大科研投入
經(jīng)專家評審和網(wǎng)上公示,江波龍電子旗下的廣東省智慧存儲終端芯片設(shè)計與應(yīng)用工程技術(shù)研究中心被認(rèn)定為“2021年度廣東省工程技術(shù)研究中心”。
2021年6月10日,今年2月,美光宣布已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5) 內(nèi)存。該款內(nèi)存經(jīng)過硬件評估,滿足最高級別的汽...
如何避免未來服務(wù)器/PC性能“躺平”的技術(shù)
引言 隨著人工智能,萬物互聯(lián)時代的到來,數(shù)據(jù)爆炸式增長,當(dāng)前DDR4內(nèi)存帶寬難以滿足發(fā)展迅猛的密集數(shù)據(jù)和密集計算對帶寬的需求。為了處理這些應(yīng)用帶來的海量...
Cadence發(fā)布云端版Clarity 3D Solver為復(fù)雜系統(tǒng)電磁分析提供簡單易用、安全和可擴(kuò)展的解決方案
Cadence 在 AWS 上加速 Clarity 3D Solver 仿真的創(chuàng)新方法,使客戶可以利用高性能的云平臺資源,加快設(shè)計的迭代時間。
金泰克首發(fā)DDR5內(nèi)存 明年上半年量產(chǎn)
2021年5月27日,金泰克在武漢舉辦品牌升級及產(chǎn)品發(fā)布會。當(dāng)前所有的科技企業(yè)都面對著經(jīng)濟(jì)放緩、地緣政治、貿(mào)易戰(zhàn)等挑戰(zhàn),怎么樣翻出一個浪潮,創(chuàng)建一個新時...
MICRON的低功耗DRAM(LPDRAM)產(chǎn)品組件具備低功耗、性能卓越、密度高和寬溫度范圍的選擇,能夠協(xié)助用戶從性能卓越智能手機(jī)和其它智能產(chǎn)品中收獲最...
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