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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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eeprom技術(shù)

基于S32K144實現(xiàn)TPS929120的基本控制功能

TPS929120是TI公司在2019年4月份發(fā)布的具有FlexWire接口的12通道汽車級40V高邊LED驅(qū)動芯片

2023-05-30 標(biāo)簽：寄存器 EEPROM LED驅(qū)動芯片 5129 0

國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC在流量檢測裝置中的應(yīng)用

所以說測量結(jié)果的準(zhǔn)確與否主要取決于傳感器提供的電參數(shù)是否穩(wěn)定，傳感器在長時間使用后的穩(wěn)定性就會發(fā)生變化，電參數(shù)也隨之變化。

2023-05-25 標(biāo)簽：傳感器 EEPROM 存儲芯片 501 0

51單片機(jī)串口通信原理

我們平時使用的電子設(shè)備，比如計算機(jī)，手機(jī)，電視機(jī)等這些大多數(shù)電子產(chǎn)品都不是由單一控制器芯片構(gòu)成。

2023-05-24 標(biāo)簽：寄存器 51單片機(jī)EEPROM 3875 0

講解UDS刷寫中涉及的重要基礎(chǔ)概念

診斷會話關(guān)聯(lián)了一系列的診斷服務(wù)或診斷功能。只有當(dāng)前激活的診斷會話支持的診斷服務(wù)才能被響應(yīng)。

2023-05-23 標(biāo)簽：控制器 EEPROM ASCII 3300 0

為什么大家喜歡用Fee的Fls，而不是Ea的EEPROM？

為什么大家喜歡用Fee的Fls，而不是Ea的EEPROM？我猜是成本問題，因為EEPROM要外掛額外的芯片，而Fls（DataFlash）是內(nèi)置在MCU中的。

2023-05-22 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 EEPROM 2791 0

MM32G0140 I2C驅(qū)動EEPROM

EEPROM全稱為EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是電可擦除可編程...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片存儲器通訊 747 0

DS1847/DS1848 溫度系數(shù)補(bǔ)充

DS1847和DS1848均具有兩個256位數(shù)字電阻和查找表（LUT），可在-40°C至95°C的溫度范圍內(nèi)自動調(diào)節(jié)電阻。 DS1848還具有128字節(jié)...

2023-05-17 標(biāo)簽：存儲器電位器 EEPROM 1017 0

國內(nèi)首款低功耗超寬電壓FM24LN系列I2C串行EEPROM存儲器

SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。

2023-05-11 標(biāo)簽：存儲器 EEPROM NOR flash 911 0

國產(chǎn)新型鐵電存儲器PB85RS2MC在汽車ADAS中可以起到關(guān)鍵型功能

汽車行業(yè)不斷集成具有更高分辨率和更快更新速率的更先進(jìn)傳感器，汽車安全應(yīng)用則是這種行業(yè)趨勢的縮影。

2023-05-11 標(biāo)簽：傳感器存儲器 EEPROM 348 0

復(fù)旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲器新品

下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbi...

2023-05-05 標(biāo)簽：存儲器 EEPROM Nand flash 1075 0

利用Microchip的即插即用傳感器庫簡化您的下一個位置傳感器設(shè)計

電感式位置傳感器是一種新的磁性技術(shù)，無需磁鐵即可提供精確的位置傳感器。在這種情況下，傳感器只是在印刷電路板（PCB）上進(jìn)行跟蹤，該電路板產(chǎn)生磁場，然后通...

2023-05-05 標(biāo)簽：傳感器 EEPROM PCB 1030 0

分享50個常用硬件設(shè)計電路

對于一個從事電子行業(yè)工作的朋友來講，如何快速的成長、入門是一個很頭疼的事情，因為很多基礎(chǔ)的理論，比較乏味，太過專業(yè)的知識，看起來，很是讓人傷透腦筋，今天...

2023-04-26 標(biāo)簽：電路圖寄存器數(shù)碼管 1369 0

S3C2440嵌入式Linux開發(fā)板如何啟動？

RAM分為兩大類，第一種稱為靜態(tài)RAM（static RAM/SRAM）,這種RAM讀寫速度非?？?，但價格昂貴，通常在要求苛刻的地方使用

2023-04-10 標(biāo)簽：嵌入式 RAM EEPROM 882 0

如何給汽車電子全液晶儀表進(jìn)行里程修改

對于寶馬這個品牌的汽車來說，不敢說全部，大部分車型的儀表盤都是使用ST公司的一個特殊芯片進(jìn)行里程存儲的，這個芯片就是ST的35XXX系列，常見的有350...

2023-04-04 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu EEPROM 5921 0

電路mcu是什么 MCU主板構(gòu)造

存儲器：存儲器是MCU主板的重要組成部分，用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲器。

2023-04-01 標(biāo)簽：人機(jī)交互 mcu 存儲器 8084 0

電子萬年歷設(shè)計方案(4)

AT24C02是美國ATMEL公司的低功耗CMOS串行EEPROM，它是內(nèi)含256×8位存儲空間，具有工作電壓寬(2.5～5.5V)、擦寫次數(shù)多(大于1...

2023-03-30 標(biāo)簽：EEPROM 存儲電路 I2C總線 1336 0

電子萬年歷設(shè)計方案(1)

本文設(shè)計的電子萬年歷屬于小型智能家用電子產(chǎn)品。利用單片機(jī)進(jìn)行控制，實時時鐘芯片進(jìn)行記時，外加掉電存儲電路和顯示電路，可實現(xiàn)時間的調(diào)整和顯示。

2023-03-30 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲器 AT89S52 3233 0

分享一種ReRAM在助聽器中的成功案例

ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可...

2023-03-25 標(biāo)簽：助聽器 EEPROM reram 1538 0

DS2786K基于OCV的獨立式開路電壓電量計的評估

DS2786基于OCV的獨立電量計，根據(jù)弛豫期后開路狀態(tài)下的電池電壓估算可充電Li+電池的可用容量。開路電壓用于根據(jù)存儲在IC中的查找表確定相對電池容量...

2023-03-22 標(biāo)簽：寄存器 EEPROM 電池 1203 0

TI在電池充電管理和體溫監(jiān)測的解決方案

一般地，一塊兼具運動和健康管理功能的智能手表由圖1所示的若干功能模塊組成，今天將主要介紹TI在電池充電管理和體溫監(jiān)測兩大最受關(guān)注功能模塊的解決方案，旨在...

2023-03-17 標(biāo)簽：電源管理 EEPROM 智能手表 1476 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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