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標(biāo)簽 > emi
EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問(wèn)題。干擾種類(lèi)有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。
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單端數(shù)據(jù)傳輸僅使用一條信號(hào)線(xiàn),其電勢(shì)被看作接地。在信號(hào)線(xiàn)為信號(hào)電流提供正向通道時(shí),接地線(xiàn)會(huì)提供回流通道。圖 1 顯示了單端傳輸通道的基本原理圖。 圖 1...
2018-03-28 標(biāo)簽:emi差動(dòng)變壓器信號(hào)處理 8.7k 0
EMI電磁屏蔽膜結(jié)構(gòu) emi電磁屏蔽膜原理
EMI(Electromagnetic Interference)電磁屏蔽膜是一種用于抑制電磁干擾的材料,其結(jié)構(gòu)可以有不同的形式。以下是常見(jiàn)的EMI電...
EMC和EMI的基本概念、技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用領(lǐng)域
電磁兼容性(EMC)和電磁干擾(EMI)是電子工程領(lǐng)域中兩個(gè)重要的概念。本文將對(duì)這兩個(gè)概念進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹,并探討它們?cè)陔娮釉O(shè)備設(shè)計(jì)和應(yīng)用中的重要性。
減少噪聲和干擾,電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)關(guān)鍵在EMI!
目前ADI的 Silent Switcher2 產(chǎn)品,效率可達(dá)93%,滿(mǎn)足 CISPR25 Class 5 EMI 的指標(biāo),例如該系列產(chǎn)品中的 LT86...
教你一個(gè)抑制可調(diào)光LED EMI的簡(jiǎn)單方法
嗯,你的新設(shè)計(jì)很牛,它差不多能滿(mǎn)足EMI要求,但!卻又不完全如此。令你吃驚的是,電路產(chǎn)生的傳導(dǎo)EMI剛好超出
電磁干擾EMI(ElectromagneticInterference),有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)把一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)上的信號(hào)耦合(干...
開(kāi)關(guān)電源Layout的電路,安規(guī),EMI,散熱及制作工藝和安裝使用要求
PCB Layout是開(kāi)關(guān)電源研發(fā)過(guò)程中的極為重要的步驟和環(huán)節(jié),關(guān)系到開(kāi)關(guān)電源能否正常工作,生產(chǎn)是否順利進(jìn)行,使用是否安全等問(wèn)題。
2018-10-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源EMILayout 8.4k 0
當(dāng) IGBT管導(dǎo)通與關(guān)斷的瞬間,會(huì)產(chǎn)生很高的du/dt,通過(guò)回路中開(kāi)關(guān)器件、金屬引線(xiàn)散熱片、外殼等對(duì)地的寄生電容進(jìn)行不斷地充放電,產(chǎn)生共模電流。
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。
2018-07-26 標(biāo)簽:MOSFETEMI柵極驅(qū)動(dòng)器 8.4k 0
數(shù)據(jù)線(xiàn)濾波或?qū)е码娮釉O(shè)備噪聲源的因素分析
本應(yīng)用筆記介紹了數(shù)據(jù)線(xiàn)濾波或?qū)е码娮釉O(shè)備噪聲源的因素,特別是在低信號(hào)電平數(shù)據(jù)中。本文檔還簡(jiǎn)要介紹了噪聲源、噪聲信號(hào)、磁過(guò)濾以及過(guò)濾技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)法則。 噪聲...
2021-06-01 標(biāo)簽:emi濾波電源轉(zhuǎn)換器 8.4k 0
近年來(lái),開(kāi)關(guān)電源以其效率高、體積小、輸出穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)而迅速發(fā)展起來(lái)。但是,由于開(kāi)關(guān)電源工作過(guò)程中的高頻率、高di/dt和高dv/dt使得電磁干擾問(wèn)題非...
2014-06-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源EMI電磁干擾 8.4k 1
5G研發(fā)關(guān)鍵技術(shù):天線(xiàn)的設(shè)計(jì)和仿真
用于天線(xiàn)安裝后性能預(yù)估的最好仿真分析,主要應(yīng)用于電大載體,大型場(chǎng)景級(jí)問(wèn)題,布局的場(chǎng)景及尺寸比較大,需要運(yùn)用不同算法才能有效計(jì)算。
DSP系統(tǒng)的降噪技術(shù)詳細(xì)資料說(shuō)明
隨著高速DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)和外設(shè)的出現(xiàn),新產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員面臨著電磁干擾(EMI)日益嚴(yán)重的威脅。早期,把發(fā)射和干擾問(wèn)題稱(chēng)之為EMI或RFI(射頻干擾...
LT8645S和LT8646S同步降壓型單片式穩(wěn)壓器的介紹
LT8645S 和 LT8646S 是 65 V 同步降壓型單片式穩(wěn)壓器,支持 8 A 輸出。它們的 Silent Switcher? 2 架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)優(yōu)...
怎么分析高速數(shù)字電路封裝電源的完整性?這些技巧你學(xué)會(huì)沒(méi)
一、Pkg與PCB系統(tǒng)隨著人們對(duì)數(shù)據(jù)處理和運(yùn)算的需求越來(lái)越高,電子產(chǎn)品的核心—芯片的工藝尺寸越來(lái)越小,工作的
開(kāi)關(guān)電源中產(chǎn)生EMI的原因是什么?變壓器內(nèi)部設(shè)置屏蔽繞組抑制共模傳導(dǎo)EMI的研究
開(kāi)關(guān)電源中,EMI 產(chǎn)生的根本原因在于存在著電流、電壓的高頻急劇變化,其通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)的傳導(dǎo),以及電感、電容的耦合形成傳導(dǎo)EMI。同而電流、電壓的變化必定伴有...
共模電感(Common mode Choke),也叫共模扼流圈,常用于電腦的開(kāi)關(guān)電源中過(guò)濾共模的電磁干擾信號(hào)。在板卡設(shè)計(jì)中,共模電感也是起EMI濾波的作...
按照天線(xiàn)發(fā)射的模型分為:?jiǎn)螛O子天線(xiàn)模型,耦極子天線(xiàn)模型,環(huán)天線(xiàn)模型;其中單極子天線(xiàn)是耦極子天線(xiàn)的單極接地模型。
2022-05-11 標(biāo)簽:emi 8.1k 0
如何采用RF屏蔽技術(shù)來(lái)降低EMI和射頻干擾RFI
在手機(jī)設(shè)計(jì)早期就確認(rèn)可有助于解決這些核心問(wèn)題的一個(gè)領(lǐng)域是廣為采用的屏蔽。屏蔽減小了電磁干擾(EMI)和射頻干擾(RFI)、極大削弱了不希望的輻射、緩解了...
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