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esd保護(hù)

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  ESD保護(hù)即防止靜電釋放對(duì)對(duì)電子設(shè)備造成電流熱(火花)效應(yīng)(如靜電引起的著火與爆炸)及和電磁效應(yīng)(如電磁干擾)等。

文章:120個(gè) 瀏覽:27471 帖子:9個(gè)

esd保護(hù)技術(shù)

ADM2482E/ADM2487E 2.5 kV信號(hào)隔離、ESD保護(hù)、全/半雙工RS-485收發(fā)器,內(nèi)置變壓器驅(qū)動(dòng)器(500 kbps)技術(shù)手冊(cè)

ADM2482E/ADM2487E 2.5 kV信號(hào)隔離、ESD保護(hù)、全/半雙工RS-485收發(fā)器,內(nèi)置變壓器驅(qū)動(dòng)器(500 kbps)技術(shù)手冊(cè)

ADM2482E/ADM2487E均為隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器,提供±15 kV ESD保護(hù),適用于多點(diǎn)傳輸線路的高速、半雙工或全雙工通信。在半雙工模式下,發(fā)射器...

2025-05-29 標(biāo)簽:收發(fā)器ESD保護(hù)RS-485 171 0

15kV ESD保護(hù)RS-232發(fā)射器/接收器ICL3222E數(shù)據(jù)手冊(cè)

15kV ESD保護(hù)RS-232發(fā)射器/接收器ICL3222E數(shù)據(jù)手冊(cè)

ICL3221E、ICL3222E、ICL3223E、ICL3232E、ICL3241E 和 ICL3243E 是由 3.0V 至 5.5V電源供電的 ...

2025-05-25 標(biāo)簽:接收器ESD保護(hù)RS-232 274 0

15kV ESD保護(hù)RS-232發(fā)射器/接收器HIN211E數(shù)據(jù)手冊(cè)

15kV ESD保護(hù)RS-232發(fā)射器/接收器HIN211E數(shù)據(jù)手冊(cè)

HIN202E、HIN206E、HIN207E、HIN208E、HIN211E、HIN213E、HIN232E 系列 RS-232 發(fā)送器 /接收器接口...

2025-05-25 標(biāo)簽:接收器發(fā)射器ESD保護(hù) 161 0

ESD技術(shù)文檔:芯片級(jí)ESD與系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介紹和差異分析

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2025-05-15 標(biāo)簽:ESDESD保護(hù)納芯微電子 801 0

CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET充電器封裝 263 0

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代...

2025-04-16 標(biāo)簽:MOSFET封裝ESD保護(hù) 285 0

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并...

2025-04-16 標(biāo)簽:封裝導(dǎo)通電阻ESD保護(hù) 220 0

CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...

2025-04-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET電阻器 260 0

納祥科技8T射頻開關(guān)NX7007,引腳均具1kV HBM ESD保護(hù),可替代MXD8680

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2025-03-10 標(biāo)簽:開關(guān)ESD保護(hù)射頻開關(guān) 441 0

TWS藍(lán)牙耳機(jī)ESD EOS整體解決方案

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ESD&EOS電路保護(hù)方案 鼎先電子提供高緊湊度、低電容、低漏電、超高穩(wěn)定性的防護(hù)器件以及完善的器件組合。DFN1006、DFN0603...

2025-03-03 標(biāo)簽:ESD保護(hù)藍(lán)牙耳機(jī)EOS 453 0

產(chǎn)品介紹#TPD4E001-Q1 汽車類四通道 1.5pF、5.5V ±8kV ESD 保護(hù)二極管,帶 USB 2.0 的 VCC 引腳

產(chǎn)品介紹#TPD4E001-Q1 汽車類四通道 1.5pF、5.5V ±8kV ESD 保護(hù)二極管,帶 USB 2.0 的 VCC 引腳

TPD4E001-Q1 器件是一款低電容 TVS 二極管陣列,設(shè)計(jì)用于在連接到通信線路的敏感電子設(shè)備中提供 ESD 保護(hù)。每個(gè)通道由一對(duì)瞬態(tài)電壓抑制二極...

2025-02-26 標(biāo)簽:電子設(shè)備低電容TVS二極管 398 0

esd保護(hù)二極管的作用是什么

ESD(Electro-Static Discharge,靜電放電)保護(hù)二極管是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電損害的半導(dǎo)體器件。在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造...

2024-09-14 標(biāo)簽:二極管電子設(shè)備ESD保護(hù) 1553 0

ESD保護(hù)二極管型號(hào)選擇

在選擇ESD(靜電放電)保護(hù)二極管的型號(hào)時(shí),需要考慮多個(gè)因素以確保所選二極管能夠有效地保護(hù)電路免受靜電放電的損害。以下是一些關(guān)鍵的選擇要點(diǎn): 一、電氣特...

2024-09-14 標(biāo)簽:二極管電流靜電放電 1247 0

esd保護(hù)二極管怎么測(cè)量

ESD保護(hù)二極管,即靜電放電保護(hù)二極管,是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電損害的半導(dǎo)體器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,由于靜電放電(ESD)可能導(dǎo)致設(shè)備損壞或性...

2024-09-14 標(biāo)簽:二極管靜電放電ESD保護(hù) 2061 0

esd保護(hù)二極管是什么二極管

ESD(Electrostatic Discharge,即靜電放電)保護(hù)二極管是一種專門設(shè)計(jì)用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電影響的半導(dǎo)體器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備...

2024-09-14 標(biāo)簽:二極管電子設(shè)備ESD保護(hù) 1461 0

esd保護(hù)二極管是否有極性

ESD保護(hù)二極管是否有極性,取決于其具體的類型和設(shè)計(jì) 。一般來說,ESD保護(hù)二極管可以分為無極性和有極性兩種類型。 無極性ESD保護(hù)二極管 特點(diǎn) :這類...

2024-09-14 標(biāo)簽:二極管電流電子設(shè)備 1713 0

Semiware 推出xDSL的浪涌和靜電保護(hù)方案

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由于xDSL設(shè)備與公用電話交換網(wǎng)(PSTN)的基礎(chǔ)設(shè)施連接,使得設(shè)備可能暴露于交流電力搭碰、電力線感應(yīng)和雷電浪涌引起的過電流和過電壓危害。所以,需要在電...

2024-06-13 標(biāo)簽:ESD保護(hù)浪涌靜電保護(hù) 523 0

AZ5815-01F國產(chǎn)替代型SMDA05N號(hào)參數(shù)對(duì)比

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已經(jīng)有很多客戶選用雷卯的 SMDA05N替代Amazing的AZ5815-01F, 客戶可以獲得更好的價(jià)格和更快的交期。

2024-04-10 標(biāo)簽:ESD保護(hù)電源線DFN封裝 774 0

分享幾種不同的靜電防護(hù)方案

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2024-03-26 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻PCB板靜電放電 2791 0

請(qǐng)問ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中的傳輸線脈沖TLP該怎么測(cè)呢?

請(qǐng)問ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中的傳輸線脈沖TLP該怎么測(cè)呢?

隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛(智能化),芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高,這些器件通常具有線間距短、線細(xì)、...

2024-03-22 標(biāo)簽:濾波器示波器ESD保護(hù) 2047 0

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