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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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SN74CB3Q3257DGVR 4 位 2 選 1 FET 總線開關
SN74CB3Q3257DGVR4位2選1FET總線開關產品型號:SN74CB3Q3257DGVR產品品牌:TI/德州儀器產品封裝:TVSOP16產品功...
ROHM推出兼具低FET發(fā)熱量和低EMI特性的三相無刷電機驅動器IC
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單節(jié)鋰離子電池保護IC “NB7123 系列”(高邊FET驅動類型)和 “NB7130 系列”(低邊FET驅動類型)開始上市
~行業(yè)領先水平的超高精度過充檢測功能有助于進一步提高安全性~ 日清紡微電子推出的單節(jié)鋰離子電池保護IC “高邊FET驅動類型的NB7123系列”和“低邊...
PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路,驅...
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一文解析現(xiàn)代場效應晶體管(FET)的發(fā)明先驅
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應晶體管奠定了理論基礎。 雖然第一個工作的場效應晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個想...
在2024年底剛開過IEDM的主題演講(keynote speech),二維場效電晶體(2D Field Effect Transistor;2D FE...
在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上,行業(yè)內上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳,共同探討行業(yè)趨勢,深化交流合作。安世半導體作為其中的重要一員,...
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點實現(xiàn)波長達18 μm的光探測
膠體量子點(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調諧性,因而在光電子器件中備受關注。
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導體)再次在 APEC 上展示產品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍,可用于多個終端市場...
針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術,開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相...
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和...
場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關和調制等...
如何區(qū)分場效應管的三個電極?場效應管可以算是三極管嗎?
如何區(qū)分場效應管的三個電極?場效應管可以算是三極管嗎? 場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種使用電場效應來控制電...
如何簡單判斷一個場效應管的好壞? 場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子設備中的晶體管類型之一。要判...
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