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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲(chǔ)器。

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fram技術(shù)

鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析

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2025-02-25 標(biāo)簽:fram鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 413 0

舜銘存儲(chǔ)FRAM SF24C512(MB85RS512)用于工程機(jī)械儀表

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2024-12-26 標(biāo)簽:儀表fram鐵電存儲(chǔ)器 456 0

富士通鐵電白皮書(shū),選擇鐵電存儲(chǔ)的4點(diǎn)理由以及技術(shù)原理分析

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鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。

2024-12-04 標(biāo)簽:Fujitsufram鐵電存儲(chǔ)器 1146 0

鐵電存儲(chǔ)器有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。然而,與任何技...

2024-09-29 標(biāo)簽:FlaShfram鐵電存儲(chǔ)器 2294 0

鐵電存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫(xiě)能力和非易失性存儲(chǔ)特性的存儲(chǔ)技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其獨(dú)特的材...

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FRAM SF25C20晶圓合封MCU,滿(mǎn)足小尺寸和高性能需求

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2024-04-22 標(biāo)簽:fram鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 969 0

FRAM內(nèi)存耐久度的優(yōu)勢(shì)分析

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FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力,或在許多開(kāi)關(guān)周期后維持鐵電開(kāi)關(guān)電荷的非易失性部分的能力。

2024-02-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器RAM內(nèi)存 901 0

鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

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鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間(Access Time),能夠更快地執(zhí)行讀取和寫(xiě)入操作。而閃存的存取速度較慢,通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。

2024-01-23 標(biāo)簽:FlaSh存儲(chǔ)器fram 7996 0

臺(tái)積電引領(lǐng)新興存儲(chǔ)技術(shù)潮流,功耗僅為同類(lèi)技術(shù)的1%

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MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類(lèi):傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM,前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng),后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。

2024-01-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 848 0

MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別

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MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。

2024-01-09 標(biāo)簽:電容器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 2019 0

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FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標(biāo)簽:閃存EEPROMfram 3748 0

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2023-11-15 標(biāo)簽:fram鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 843 0

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為您的設(shè)計(jì)選擇正確的內(nèi)存解決方案

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內(nèi)存被視為一種必要的技術(shù),然而工廠(chǎng)自動(dòng)化、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、便攜式醫(yī)療設(shè)備、邊緣計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)傳感器等新應(yīng)用正在迫使性能要求發(fā)生變化。因此用于評(píng)估和選擇特定應(yīng)...

2021-07-27 標(biāo)簽:FlaSh存儲(chǔ)器內(nèi)存 886 0

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目前汽車(chē)安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項(xiàng)主要的創(chuàng)新技術(shù):第一,安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”,新系統(tǒng)是根據(jù)事故和乘客的具體參數(shù)來(lái)決定氣囊的展開(kāi)力度,這些參數(shù)可能包括...

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生物樣品分選儀是應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室或醫(yī)療機(jī)構(gòu)的一種智能型分選工具,此生物樣品分選儀器具有多規(guī)程的特點(diǎn),可以由外接計(jì)算機(jī)在專(zhuān)用軟件中創(chuàng)建、修改或刪除規(guī)程,再通過(guò)...

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鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC的性能特征

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監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)是煤礦安全監(jiān)控系統(tǒng)的源頭,監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性及完整性是煤礦安全生產(chǎn)的關(guān)鍵所在。然而現(xiàn)有監(jiān)控分站數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量有限,且多數(shù)不具備記憶功能,一旦通訊線(xiàn)路...

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鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫(xiě)速度快,沒(méi)有寫(xiě)等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫(xiě)使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的...

2023-06-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram鐵電存儲(chǔ)器 883 0

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在POS機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的應(yīng)用

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我們經(jīng)常能在零售或批發(fā)的商品流通中看到PSO機(jī)的身影,如大型超市、綜合商場(chǎng)、零售店等等。在生產(chǎn)消費(fèi)過(guò)程,商品過(guò)程越發(fā)數(shù)據(jù)信息化,而POS機(jī)可以很好進(jìn)行數(shù)...

2023-06-20 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)采集POS機(jī)fram 650 0

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在MCU中的應(yīng)用

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鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的...

2023-06-20 標(biāo)簽:mcuFlaSh存儲(chǔ)器 979 0

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線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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