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基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉換器參考設計
此參考設計是高頻諧振轉換器參考設計。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路,輸出電壓調節(jié)至 24 V,輸入電壓范圍為 380 V 至 400 V。此...
用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級評估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG341x 半橋板(如 LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉換器。通過提供...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉換器參考設計
此高頻諧振轉換器參考設計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內調節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN ...
EVM用戶指南:LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評估模塊
LMG2650EVM-100 旨在提供一個快速簡便的平臺,用于評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 個電源引腳...
近日,泰克科技與遠山半導體的合作再次取得了突破性進展,雙方共同對遠山半導體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估,取得了令...
京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)國際論壇
3月24日,SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)國際論壇,京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...
Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半導體制造商ROHM Co,Ltd(以下簡稱“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被臺達電子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip聯(lián)合開發(fā)一款500W電源參考設計解決方案
Tagore Technology 與 Inventchip Technology(上海瞻芯電子科技有限公司,簡稱:瞻芯電子)共同參加業(yè)界知名的2024...
面向1200V功率應用的異質襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導體的開發(fā)和市場導入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
NexGen垂直GaN半導體 預計2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
新品推薦 | 東科推出業(yè)內首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片
DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉換芯片。它具有超高集成度,內置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管,邏輯控制電...
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以...
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