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gan技術(shù)

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 2219 0

晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析

化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比，另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...

2024-04-24 標(biāo)簽：集成電路二極管晶體管 1621 0

適用于自主駕駛車(chē)輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南

作者：Kenton Williston 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類(lèi)...

2024-05-05 標(biāo)簽：FET 激光二極管測(cè)量 1113 0

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

作者：Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所有這些都為近來(lái)降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標(biāo)簽：變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 924 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...

2024-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN HEMT 2224 0

使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度

High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...

2024-04-18 標(biāo)簽：PFC GaN 功率密度 2538 0

DC/DC隔離電源助力綠色低碳新發(fā)展

在汽車(chē)、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中，對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長(zhǎng)。而在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 領(lǐng)域，通過(guò)提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度，此類(lèi)優(yōu)化...

2024-04-07 標(biāo)簽：MOSFET 電池充電隔離電源 850 0

深度學(xué)習(xí)生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）全解析

GANs真正的能力來(lái)源于它們遵循的對(duì)抗訓(xùn)練模式。生成器的權(quán)重是基于判別器的損失所學(xué)習(xí)到的。因此，生成器被它生成的圖像所推動(dòng)著進(jìn)行訓(xùn)練，很難知道生成的圖像...

2024-03-29 標(biāo)簽：gpu GaN 生成器 5734 0

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過(guò)程中，如藍(lán)寶石就特別困難，會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。

2024-03-28 標(biāo)簽：功率器件石墨烯 GaN 1389 0

四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用

除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...

2024-03-15 標(biāo)簽：逆變器電池電壓氮化鎵 6566 0

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用

隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz，電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。

2024-03-13 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 1510 0

半導(dǎo)體襯底和外延有什么區(qū)別？

襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

2024-03-08 標(biāo)簽：GaN 單晶硅半導(dǎo)體制造 2234 0

新型隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何提高和增強(qiáng)系統(tǒng)電流測(cè)量精度

最新的隔離式調(diào)制器通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部模擬設(shè)計(jì)和使用最新斬波技術(shù)來(lái)改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能，這極大地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了校準(zhǔn)時(shí)間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標(biāo)簽：adc SiC 調(diào)制器 1042 0

集成柵極驅(qū)動(dòng)器的GaN ePower超快開(kāi)關(guān)

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注，但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN...

2024-03-05 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 激光驅(qū)動(dòng)器 3455 0

適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專(zhuān)門(mén)為GaN設(shè)計(jì)的柵...

2024-02-29 標(biāo)簽：MOSFET GaN 柵極驅(qū)動(dòng) 1395 0

為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料？

擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì)，但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類(lèi)型。

2024-02-29 標(biāo)簽：CMOS NMOS 半導(dǎo)體材料 676 0

目前存在哪些與800V電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成架構(gòu)有關(guān)的設(shè)計(jì)和測(cè)試挑戰(zhàn)

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場(chǎng)對(duì)優(yōu)化設(shè)計(jì)、降低成本和提升車(chē)輛運(yùn)行效率的需求，并為產(chǎn)品測(cè)試提出了新的難題。

2024-02-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1204 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標(biāo)簽：SBD SiC GaN 2071 0

LED顯示屏是什么材質(zhì) led顯示屏參數(shù)設(shè)置

LED顯示屏是一種基于LED（Light Emitting Diode）技術(shù)的顯示裝置，用于在各種場(chǎng)合中展示文字、圖像、視頻等內(nèi)容。它由多個(gè)LED像素點(diǎn)...

2024-02-03 標(biāo)簽：LED顯示屏參數(shù)半導(dǎo)體材料 5826 0

寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個(gè)交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)徹底的變革，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車(chē)逐漸讓位于污染更少的電動(dòng)汽車(chē)...

2024-02-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1350 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線(xiàn)連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿(mǎn)關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線(xiàn)、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
AD9361

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nRF52832

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無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊

無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊

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無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
藍(lán)牙5.0

藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

Elektron

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WiGig

WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線(xiàn)千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線(xiàn)技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
樂(lè)鑫

樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿(mǎn)足未來(lái)無(wú)線(xiàn)通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

802.11ax

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ZigBee3.0

ZigBee3.0

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貼片天線(xiàn)

貼片天線(xiàn)

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射頻元件

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無(wú)線(xiàn)設(shè)備

無(wú)線(xiàn)設(shè)備

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無(wú)線(xiàn)設(shè)備一般指無(wú)線(xiàn)電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線(xiàn)電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線(xiàn)、饋線(xiàn)和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線(xiàn)性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱(chēng)為遠(yuǎn)距離無(wú)線(xiàn)電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
藍(lán)牙4.2

藍(lán)牙4.2

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