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低功耗GaN在常見交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢
消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊...
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
本文研究了四個經(jīng)常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動力學(xué)、殼...
2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1861 0
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱，暫態(tài)電壓失穩(wěn)，慣量缺失。新能源滲透率提高，電網(wǎng)強(qiáng)度下降，暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1624 0
什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN？其有何特點及應(yīng)用？
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器半導(dǎo)體 7008 0
在整個應(yīng)力作用下，性能略有下降。正如預(yù)期的那樣，跨導(dǎo)和漏電流隨著時間的推移而減小。電子遷移率下降對溫度的影響
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
在芯片生產(chǎn)制造過程中，各工藝流程環(huán)環(huán)相扣，技術(shù)復(fù)雜，材料、環(huán)境、工藝參數(shù)等因素的微變常導(dǎo)致芯片產(chǎn)生缺陷，影響產(chǎn)品良率。
邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的工作原理和應(yīng)用現(xiàn)狀
根據(jù)諧振腔制造工藝的不同，半導(dǎo)體激光芯片分為 邊發(fā)射激光芯片（EEL） 和 垂直腔面發(fā)射激光芯片 （VCSEL）兩大類，其具體結(jié)構(gòu)差異如圖1所示。相比于...
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
在汽車和可再生能源領(lǐng)域，英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計勝利，相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
什么是異構(gòu)集成？什么是異構(gòu)計算？異構(gòu)集成、異構(gòu)計算的關(guān)系？
異構(gòu)集成主要指將多個不同工藝節(jié)點單獨制造的芯片封裝到一個封裝內(nèi)部，以增強(qiáng)功能性和提高性能。
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動性能
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動性能
2023-11-23 標(biāo)簽：IC封裝電機(jī)驅(qū)動 940 0
谷歌新作UFOGen：通過擴(kuò)散GAN實現(xiàn)大規(guī)模文本到圖像生成
擴(kuò)散模型和 GAN 的混合模型最早是英偉達(dá)的研究團(tuán)隊在 ICLR 2022 上提出的 DDGAN（《Tackling the Generative Le...
RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計上有別于其它技術(shù)，有時設(shè)計具有一定挑戰(zhàn)性；
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
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