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基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標(biāo)準(zhǔn)的參考電源設(shè)計(jì)
專門設(shè)計(jì)來控制ZVS非互補(bǔ)有源的鉗式反激(ACF)轉(zhuǎn)換器,以創(chuàng)建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。
2023-04-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaN快充 1253 0
基于ST 意法半導(dǎo)體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案
ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體...
2023-03-16 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaNType 1392 0
氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽:功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5082 1
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前,GaN的制造...
數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器介紹
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng),而SiLM824...
2023-08-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件GaN 1784 0
定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能,并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描...
在建模實(shí)驗(yàn)中,imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實(shí)現(xiàn)的性能:全 CMOS 實(shí)現(xiàn)、帶有 SiGe 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HB...
2023-08-14 標(biāo)簽:功率放大器移動(dòng)通信GaN 1049 0
年復(fù)一年,越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢(shì)并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效,第五代移動(dòng)通信 (5G) 正在推出,業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來...
用于深紫外線傳感應(yīng)用的GaN型紫外線傳感器。 與Si型紫外線傳感器相比,新產(chǎn)品對(duì)UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。 通過使用GaN,產(chǎn)品的...
幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來作為GaN外延...
如今,我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個(gè)方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。
車載充電器(OBC)是電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2023-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車變換器DC-DC 1869 0
氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn) 氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣?yán)走_(dá)中,需要高功率的射頻信號(hào)來驅(qū)動(dòng)每個(gè)天線元素,這要求對(duì)高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進(jìn)行有效的...
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4499 0
氮化鎵(GaN)是一種第三代半導(dǎo)體材料,與硅相比,它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅,尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...
高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
GaN開發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)
隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及,開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會(huì)有很大的...
2023-08-22 標(biāo)簽:變壓器半導(dǎo)體開關(guān)電源 1534 0
“后起之秀”氮化鎵未來幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)
來源:電子工程專輯 比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中,將更有優(yōu)勢(shì),比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
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