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當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個最適合特定設(shè)計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻...
SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...
5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢：
Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅(qū)動器、驅(qū)動器和輸出級。具體而言，新的高電子遷移率晶體管（HEMT）...
除了導致更高的輸出頻率范圍外，對于地面雷達來說，這是一個關(guān)鍵的設(shè)計考慮因素，地面雷達越來越多地使用有源電子掃描陣列（AESA）技術(shù)，以在更小的封裝中封裝...
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8...
這些優(yōu)勢是目前取代雷達常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導致的TWT放大器固有的使用壽命相...
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡化了X波段雷達設(shè)計
性能參數(shù)因應(yīng)用而異，雷達系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導頻率范圍，可用于海上導...
考慮到功率對雷達探測距離的重要性，工程師可能會完全專注于在尺寸限制內(nèi)盡可能多地提升功率 — 通過使用 Wolfspeed 最新的 GaN 技術(shù)獲取最高的...
本文我們將重點介紹第三代半導體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標，并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)摴β拭芏葧r，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特...
氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
電源管理是一門科學藝術(shù)，它通過優(yōu)化輸入和輸出信號來最大化 RF 設(shè)備的效率和性能，這不是一件容易的事。每臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備都有自己獨特的功率需求。更高的數(shù)據(jù)速率...
SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應(yīng)法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。
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