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氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達 3...
GaN打破壁壘—RF功率放大器的帶寬越來越寬、 功率越來越高
摘要 電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率,工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率,這助推了滿足這些需求的電子設(shè)備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作,新...
隨著5G的推出,新的無線電網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的一個重要環(huán)節(jié)是gNodeB基站的功率放大器(PA)。PA需要無故障運行,往往是在極端條件下,而且5G標(biāo)準提出了更...
GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計、器件制造、封測以及應(yīng)用。各個環(huán)節(jié)國內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻...
GaN功率放大器熱設(shè)計中金剛石的應(yīng)用解析
為了降低芯片的工作結(jié)溫,基本理念是提高芯片有源區(qū)近端封裝體的熱導(dǎo)率,通過熱傳導(dǎo)的方式將熱量迅速傳輸出去,避免熱累積效應(yīng)引起的局部溫度升高。
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)
【導(dǎo)讀】眾所周知,因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序,所以在某些設(shè)計中,GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng),可能會導(dǎo)致...
2022-08-29 標(biāo)簽:功率放大器電源開關(guān)GaN 2080 0
近年來,電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展,對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能...
GaN功率器件在工業(yè)電機控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實施高功率解決方案,并提供應(yīng)...
從 70 年代下半葉開始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進步和改進。然而,隨著...
電源設(shè)計說明中使用GaN器件進行LTspice仿真
多年來,技術(shù)進步使得從功率器件獲得高級性能成為可能。氮化鎵 (GaN)不同于硅 (Si)。它是一種類似于晶體的材料,能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比,電...
成果展示:具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管
為實現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團隊依托先進的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺,優(yōu)化設(shè)計了一種具有p-NiO...
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
半橋GaN應(yīng)用中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)解決方案
為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制,在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補驅(qū)動信號。為避免交叉?zhèn)鲗?dǎo),有目的地將死區(qū)時間放置在驅(qū)動信號的高側(cè)和低側(cè)。...
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