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對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于...
2022-07-26 標簽:FETGaN電源系統(tǒng) 1851 0
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前,您可能仍然會好奇GaN 是否具...
氮化鎵(GaN)器件具有類似硅的電性能,可以由硅MOSFET設計中使用的許多現(xiàn)成的驅動產品驅動。
近年來,半導體技術發(fā)展迅速,集成電路產業(yè)規(guī)模不斷擴大。5G 時代的到來,對射頻器件所用半導體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...
對于工程師來說,設計 GaN PA 的第一步就是獲得半導體制造商的產品數(shù)據(jù)手冊 ;第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設計工程師還可以利用測得的負載牽引數(shù)據(jù)...
提高能效一直是電源制造商的一個長期目標。這是真正的“雙贏”,因為這不僅降低運行成本,而且減少了以熱的形式浪費能量,意味著需要更少的散熱管理,從而減小了電...
我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關,開關速度非常快,1秒可以開關上千次(kHz),高速功率器件可達到幾十kHz,甚至上百kHz。開關速度越快意味著...
幾十年來,硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發(fā)出來,提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如,有了化合物半...
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