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gan技術(shù)

消除GaN-on-GaN器件熱障的方法

GaN-HEMT以高效率提供高射頻輸出功率而聞名。由于這些特性，這類(lèi)晶體管可以顯著改善微波到毫米波無(wú)線電通信和雷達(dá)系統(tǒng)的性能。這些HEMTs可用于氣象雷...

2020-11-29 標(biāo)簽：GaN 器件 3780 0

相對(duì)于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些優(yōu)勢(shì)

最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類(lèi)似于單芯片的封裝。

2020-12-07 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 3911 0

傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個(gè)有源開(kāi)關(guān)，通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今，大多數(shù)常規(guī)開(kāi)關(guān)電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡(jiǎn)單性、低成本和可靠性。

2021-03-09 標(biāo)簽：PFC GaN PFC整流器 4601 0

深度解讀激光雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器系列

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率轉(zhuǎn)換（EPC）宣布了用于激光雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的eToF激光驅(qū)動(dòng)器系列。新的氮化鎵（GaN）系...

2021-03-10 標(biāo)簽：GaN 光學(xué)傳感器無(wú)人機(jī) 9230 0

如何采用氮化鎵或GaN實(shí)現(xiàn)車(chē)輛電氣化

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 汽車(chē)行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)（ICE）到全電動(dòng)未來(lái)的巨變。VisIC Technologies的功率...

2021-03-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器 GaN 5497 0

GaN-HEMT器件的動(dòng)態(tài)R DSon值測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析

GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開(kāi)關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類(lèi)的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來(lái)越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電...

2021-03-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器測(cè)量電路 GaN 1.2萬(wàn) 0

通過(guò)EPC的GaN EPC2032的電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)

GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用EPC的Ga...

2021-03-23 標(biāo)簽：EPC GaN GaN晶體管 3972 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長(zhǎng)

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應(yīng)用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢(shì)。GaN還是高能效...

2021-04-04 標(biāo)簽：led SiC 氮化鎵 1856 0

GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

2021-04-01 標(biāo)簽：二極管功率器件 GaN 2586 0

GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計(jì)方案詳解

氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了進(jìn)步。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開(kāi)發(fā)可在高開(kāi)關(guān)頻率下工作的轉(zhuǎn)換器。GaN減小了變壓器的尺寸...

2021-04-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源開(kāi)關(guān)AC-DC 4199 0

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管功率器件 3814 0

氮化鎵和Sslicon在各種性能指標(biāo)上的比較

硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底（便宜但較大的晶...

2021-05-26 標(biāo)簽：微處理器晶體管氮化鎵 1812 0

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...

2021-05-26 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 3302 0

GaN使充電器設(shè)計(jì)發(fā)生革命

氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進(jìn)展。 GaN晶體管的開(kāi)關(guān)效率很高。這允許開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更...

2020-10-23 標(biāo)簽：充電器 GaN 1.2萬(wàn) 0

碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)？能應(yīng)用在那些方面

電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。

2020-10-17 標(biāo)簽：二極管 MOSFET GaN 9247 0

GaN晶體管在AC/DC電路設(shè)計(jì)中的重要性和作用

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2020-09-30 標(biāo)簽：AD 晶體管 GaN 3940 0

激光雷達(dá)的工作原理及如何利用氮化鎵消除隱患

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無(wú)法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...

2021-02-21 標(biāo)簽：散熱器氮化鎵 GaN 7346 0

GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)

高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...

2021-01-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵 GaN 2244 0

功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng) 基于GaN的RF器件獨(dú)特優(yōu)勢(shì)眾多

Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專(zhuān)為“商業(yè)和軍事雷達(dá)，以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計(jì)。

2021-01-19 標(biāo)簽：SiC GaN 射頻技術(shù) 2207 0

具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3327 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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5G手機(jī)

5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿(mǎn)關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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nRF52832

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無(wú)線收發(fā)模塊

無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
藍(lán)牙5.0

藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿(mǎn)足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱(chēng)為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
藍(lán)牙4.2

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