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【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之四:寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計優(yōu)化驗證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動信號的上升時間為依據(jù),儀器系統(tǒng)對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去,這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而,隨著整個行業(yè)制造工藝的改進和采用率的增加,挑戰(zhàn)逐漸集中到實施和系統(tǒng)設(shè)計上
半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之三:高效GaN電源設(shè)計八部曲,泰克系列視頻課堂實操秘籍
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低,寬禁帶半導(dǎo)體(SiC 和 GaN)現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。
氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
音頻是一個復(fù)雜的應(yīng)用,尤其是對于發(fā)燒友領(lǐng)域各個層面的需求。最高端的音頻設(shè)備通常都價格高昂,不同類型的音頻放大器吸引了眾多用戶的追求,他們相信其選擇可以最...
5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點?是下一個風(fēng)口?
由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...
2020-04-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.7萬 1
NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個封裝增加了一個大的冷卻片,用于降低封裝的熱...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...
面對5G基站巨大的耗電挑戰(zhàn),GaN是業(yè)界需要的英雄
消費者目前已經(jīng)開始體驗5G技術(shù)的優(yōu)勢,它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網(wǎng)寬帶匹敵,而且將來還可能在蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)區(qū)域內(nèi)支持更高密度的移動設(shè)備和互連的物聯(lián)網(wǎng)...
2020-01-09 標(biāo)簽:移動通信GaN蜂窩網(wǎng)絡(luò) 3993 0
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計過程詳解
近年來,寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,具有很多優(yōu)異的特性,如禁帶寬度寬、擊穿場強高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂...
PI的PowiGaN技術(shù)的使用優(yōu)勢及應(yīng)用
Power Integrations(PI)于2019年7月27日發(fā)布了結(jié)合PowiGaN技術(shù)的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)...
基于Agilent ADS仿真軟件的GaN寬帶功率放大器設(shè)計
新一代半導(dǎo)體功率器件主要有SiC場效應(yīng)晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場效晶體管,新一代SiC和Ga...
2020-01-25 標(biāo)簽:功率放大器PCB設(shè)計GaN 4182 0
新一代PowiGaN技術(shù)在LED照明中的應(yīng)用解析
PI CEO Balu Balakrishnan在季報電話會議上所說:“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率,實現(xiàn)了硅開關(guān)無法達到的功率...
2019-10-08 標(biāo)簽:led照明led驅(qū)動器GaN 1140 0
在之前的介紹中,我們了解了關(guān)于I?V 曲線和負載線路的基礎(chǔ)知識,但還有另一種分析設(shè)備的非線性行為的方法,即查看設(shè)備的I-V 波形--也就是電流和電壓與時...
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線,另一是在Si襯底上制作平面...
能不能用GAN破解標(biāo)注數(shù)據(jù)不足的問題呢
在計算機視覺領(lǐng)域,深度學(xué)習(xí)方法已全方位在各個方向獲得突破,這從近幾年CVPR 的論文即可看出。但這往往需要大量的標(biāo)注數(shù)據(jù),比如最著明的ImageNet數(shù)...
2019-07-14 標(biāo)簽:GAN計算機視覺大數(shù)據(jù) 5501 0
干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽...
深度壓縮感知(DCS)框架通過聯(lián)合訓(xùn)練生成器和通過元學(xué)習(xí)優(yōu)化重建過程,顯著提高了信號恢復(fù)的性能和速度。作者探索了針對不同目標(biāo)的測量訓(xùn)練,并給予最小化測量...
2019-05-25 標(biāo)簽:GaN深度學(xué)習(xí)DeepMind 3981 0
據(jù)麥姆斯咨詢介紹,近年來,由于氮化鎵(GaN)在射頻(RF)功率應(yīng)用中的附加價值(例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積),RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚...
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