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hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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HMC734LP5/734LP5E具有4分頻功能的VCO,8.6-10.2GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC734是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負(fù)電阻器件、變?nèi)荻O管,并具有4分頻頻率輸出。...
HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)
HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動(dòng)態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC,可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC6...
2025-04-09 標(biāo)簽:RFICHBT矢量調(diào)制器 593 0
HMC365 InGaP HBT 4分頻芯片,DC-13GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC365是低噪聲的4分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),擁有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波輸入)至...
HMC-C006 InGaP HBT 4分頻模塊,0.5-18GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC-C006是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),封裝在微型密封模塊中,帶有可更換的SMA連接器。 該器件在0.5至1...
HMC737LP4/737LP4E具有半頻輸出的MMIC VCO,14.9-15.5GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC737是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負(fù)電阻器件、變?nèi)荻O管,并具有半頻輸出。 由于...
HMC313 InGaP HBT增益模塊放大器SMT技術(shù)手冊(cè)
HMC313(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC放大器,采用Vcc單電源工作。 表面貼裝SOT26放大器可用作寬帶增益...
HMC443LP4/443LP4E x4有源倍頻器,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)
HMC443LP4(E)是一款有源微型x4倍頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+4 dBm(典...
HMC437MS8G/437MS8GE使用InGaP HBT技術(shù),3分頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)
HMC437MS8G(E)是一款低噪聲3分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用低成本8引腳表貼塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入...
HMC432/432E使用InGaP HBT技術(shù),2分頻,采用SMT封裝,DC-8GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC432(E)是一款低噪聲2分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用超小型表面貼裝SOT26塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入...
HMC406 InGaP HBT功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC406MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)MMIC功率放大器,工作頻率范圍為5至6 GHz。 該放大器采用低...
HMC407 InGaP HBT功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為5至7 GHz。 該放大器無需...
HMC363G8 InGaP HBT 8分頻密封型SMT封裝,DC-12GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC363G8是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用8引腳密封型表貼玻璃/金屬封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至...
HMC-C040 InGaP HBT 10分頻模塊技術(shù)手冊(cè)
HMC-C040是一款低噪聲10分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),封裝在微型密封模塊中,帶有可更換的SMA連接器。 該器件在0.5至...
HMC361使用InGaP HBT技術(shù),2分頻芯片,DC-11GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC361是低噪聲的2分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),擁有1.14 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波輸入)至...
HMC447LC3使用InGaP HBT技術(shù),4分頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)
HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器,采用InGaP GaAs HBT技術(shù)。 這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz,可接受極寬范圍...
HMC311ST89 InGaP HBT增益模塊放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC311ST89(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為DC至6 GHz。 此款放...
HMC506LP4/506LP4E采用SMT封裝的VCO,帶有緩沖放大器,7.8-8.7GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC506LP4(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)MMIC VCO,帶有集成諧振器、負(fù)電阻器件、變?nèi)荻O管、緩沖放大器。 該...
HMC530LP5/530LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)
HMC530LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC530LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變...
HMC514LP5/514LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊(cè)
HMC514LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC514LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變...
HMC-C079超低相位噪聲放大器模塊,3-8GHz技術(shù)手冊(cè)
HMC-C079是一款GaAs HBT超低噪聲放大器,封裝在微型密封模塊中,在3至8 GHz的頻率下工作。 這種高動(dòng)態(tài)范圍放大器模塊提供11 dB的增益...
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