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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

IGBT的終端耐壓結構—柱面結和球面結的耐壓差異（2）

下面我們再分析一下球面結的雪崩電壓。首先對（7-17）從PN結邊界到耗盡區(qū)圖片積分，結果如下，

2023-12-01 標簽：IGBT PN結 1.5k 0

IGBT的終端耐壓結構—柱面結和球面結的耐壓差異（1）

回顧《平面結和柱面結的耐壓差異1》中柱面結的示意圖，在三維結構中，PN結的擴散窗口會同時向x方向和z方向擴散，那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結。

2023-12-01 標簽：高電壓 IGBT PN結 2.3k 0

IGBT的終端耐壓結構—平面結和柱面結的耐壓差異（2）

下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結與平面結所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結擊穿電壓 1.6k 0

IGBT的終端耐壓結構—平面結和柱面結的耐壓差異（1）

IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結的耐壓，主要取決于PN結的摻雜濃度。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結功率半導體 4.5k 0

IGBT的關斷瞬態(tài)分析—IV關系（2）

上一節(jié)我們建立了基區(qū)寬度與外加電壓隨時間的變化關系

2023-12-01 標簽：IGBT PIN管載流子 1.5k 0

IGBT的關斷瞬態(tài)分析—IV關系（1）

我們曾在文中反復提及，電壓是電場的積分，而電場是電荷的積分，所以要得到電壓的關斷瞬態(tài)，就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結電流電壓 1.6k 0

IGBT的關斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(3)

至此，我們完整地分析了關斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲變化，而電荷對時間的變化率即對應電流。

2023-12-01 標簽：IGBT 電壓波形 1.3k 0

IGBT的關斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(2)

可以看出，減小遷移率和載流子壽命，可以增大關斷瞬間的電流突變率。

2023-12-01 標簽：IGBT BJT 電流突變 1.1k 0

IGBT的關斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(1)

現(xiàn)在我們把時間變量圖片加入，進行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內(nèi)部存儲的電荷開始衰減，衰減過程是因為載流子壽命有限而自然復合

2023-12-01 標簽：IGBT 電流突變載流子 1.4k 0

IGBT的關斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們詳細地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構成部分與多余載流子濃度分布之間的關系，即一維空間的物理關系。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 1.2k 0

IGBT電壓與電荷分布之間的關系（2）

因為電子從費米能級高位向低位流動，因此根據(jù)電子電流的流向很容易繪出費米能級的彎曲方向，這里將BJT發(fā)射極到集電極的導帶及價帶能帶示意圖繪制如圖所示。

2023-12-01 標簽：IGBT BJT 電壓電流 1.6k 0

IGBT電壓與電荷分布之間的關系（1）

前面我們基本完成了穩(wěn)態(tài)狀況下，電流（包含電子電流和空穴電流）與電荷分布之間的關系，下面我們來看看穩(wěn)態(tài)下電壓與電荷分布之間的關系。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結 BJT 1.6k 0

IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關系修正

如前所述，修正圖片、圖片與圖片的關系關鍵在于要重新基于BJT結構模型來建立圖片與圖片的關系。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結 BJT 1.3k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結構模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖），因為PIN1與溝槽所構成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標簽：IGBT MOS PN結 1.5k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（2）

上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運動相互影響，這個影響關系需要用雙極性擴散系數(shù)來描述。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 1.4k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（1）

IGBT作為大功率雙極型開關器件，持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下，關斷過程中因為電子電流、空穴電流關斷不同步

2023-12-01 標簽：IGBT 電流電壓載流子 1.3k 0

IGBT的物理結構模型—BJT&MOS模型（2）

上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 1.4k 0

IGBT的物理結構模型—BJT&MOS模型（1）

在前面關于PIN&MOS模型分析中，特別強調(diào)了這個模型所存在的一個短板，即所有電流都通過MOS溝道，實際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...

2023-12-01 標簽：IGBT 晶體管 MOS 2.5k 0

IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結構，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標簽：IGBT MOS PN結 1.5k 0

金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢

基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢，半導體應用市場持續(xù)擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅(qū)動電源作為專為IG...

2023-12-01 標簽：MOSFET IGBT SiC 1.3k 0

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