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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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針對現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題,以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計特點、常見散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...
在工業(yè)生產(chǎn)過程中,變頻器是一種常見的電力設(shè)備,其穩(wěn)定性和可靠性對生產(chǎn)過程至關(guān)重要。然而,在實際使用過程中,我們可能會遇到變頻器的IGBT頻繁損壞的問題。...
2023-11-05 標簽:開關(guān)電源變頻器電力設(shè)備 3.6k 0
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 標簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 1.9k 0
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過程...
碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢,以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...
龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用
充電樁是指為電動汽車提供能量補充的充電裝置,其功能類似于加油站里面的加油機,可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場、公共停車場等)和居民小...
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護電路等功能的...
MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...
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