mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

關(guān)于MOS管，你需要知道的那些事

MOT03/252024什么是MOS管？MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Ox...

2024-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 2107 0

增強(qiáng)型和耗盡型MOS管的區(qū)別

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電...

2024-05-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 5283 0

IGBT與MOS管的區(qū)別

在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...

2024-05-12 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 3798 0

MOS管發(fā)熱問(wèn)題的解決方案探討

此時(shí)它的發(fā)熱功率最大，隨后迅速降低直到完全導(dǎo)通，功率變成了100*100*0.003=30w，假設(shè)這個(gè)MOS管的內(nèi)阻是3毫歐姆，那這個(gè)開(kāi)關(guān)過(guò)程的發(fā)熱功率...

2024-04-30 標(biāo)簽：電流 MOS管散熱設(shè)計(jì) 2891 0

H橋電路是如何工作的？H橋電路有何作用？

將兩個(gè)MOS管一上一下的方式放在一條直線上，叫做“半橋”，我們分別叫它上管和下管，而兩個(gè)半橋組合一起，就是H橋電路，正中心就是負(fù)載電機(jī)。

2024-04-29 標(biāo)簽：電機(jī)控制直流電機(jī)MOS管 2811 0

如何確保380V輔助電源的穩(wěn)定性？

交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對(duì)電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。

2024-04-29 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏電流 975 0

電源MOS管緩啟動(dòng)的應(yīng)用分析

熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時(shí)，連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時(shí)，由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...

2024-04-29 標(biāo)簽：連接器 MOS管寄生電容 1076 0

MOS管為什么還要考慮電流大小呢？

當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，我們會(huì)使用推挽電路來(lái)放大電流，但是MOS管明明是壓控型器件，為什么要去考慮電流大小呢？

2024-04-28 標(biāo)簽：三極管電流 MOS管 2202 1

探究?jī)?nèi)阻較小的MOS管發(fā)熱之謎

這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展，當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候，那源漏之間就不需要開(kāi)啟就形成了通路，所以...

2024-04-28 標(biāo)簽：二極管電源反接 MOS管 1126 0

關(guān)于同步整流芯片參數(shù)適配的經(jīng)驗(yàn)

更換同步整流控制IC后啟機(jī)效率明顯降低，首先從同步整流工作異常開(kāi)始著手測(cè)量。如圖1所示，在同步整流驅(qū)動(dòng)波形測(cè)量的同時(shí)用熱成像儀測(cè)量同步整流MOS管的溫度...

2024-04-26 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS管熱成像儀 1568 0

普通三極管電路的步驟

三極管是晶體管的一種，三極管的三個(gè)極分別是基極（Base）、發(fā)射極（Emitter）、集電極（Collector）。

2024-04-25 標(biāo)簽：三極管 MOS管晶體管 911 0

電源防反接電路設(shè)計(jì)方案分享！

在實(shí)際應(yīng)用中，G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻，防止MOS管被擊穿，也可以加上穩(wěn)壓二極管，并聯(lián)在分壓電阻上的電容，有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。

2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓二極管 MOS管 2463 0

鋰電池保護(hù)電路工作原理解讀

鋰離子電池是一種二次電池（充電電池），它主要依靠鋰離子在正極和負(fù)極之間移動(dòng)來(lái)工作。在充放電過(guò)程中，Li+在兩個(gè)電極之間往返嵌入和脫嵌，充電時(shí)，Li+從正...

2024-04-22 標(biāo)簽：鋰離子電池鋰電池保護(hù)電路 3438 0

模擬電路基礎(chǔ)知識(shí)（2）

整流電路是將交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，這就是交流電的整流過(guò)程，整流電路主要由整流二極管組成。經(jīng)過(guò)整流電路之后的電壓已經(jīng)不是交流電壓，而是一種含有直流...

2024-04-22 標(biāo)簽：三極管二極管模擬電路 1417 0

關(guān)于MOS管電路工作原理的講解

MOS管的話題雖說(shuō)是老生常談，但這份資料幾年前就有人給我分享過(guò)，這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識(shí)別，到極性的分辨，再到...

2024-04-22 標(biāo)簽：MOS管 MOS 寄生二極管 745 0

MOS管的具體應(yīng)用電路

電路設(shè)計(jì)時(shí)，不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞，不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間，數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致，故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路；

2024-04-27 標(biāo)簽：放大電路 MOS管 NMOS 2238 0

一文詳解開(kāi)漏輸出和開(kāi)集輸出的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用

開(kāi)漏（open-drain）或開(kāi)集電極（open-collector）輸出引腳由單個(gè)晶體管驅(qū)動(dòng)，將引腳拉到只有一個(gè)電壓（通常是接地）。當(dāng)輸出設(shè)備關(guān)閉時(shí)，...

2024-05-01 標(biāo)簽：上拉電阻 MOS管晶體管 2.6萬(wàn) 0

功率電源器件的發(fā)熱情況以及極限工作溫度詳解

熟悉電子電路設(shè)計(jì)的朋友一定都知道，在電源整體設(shè)計(jì)中存在一些發(fā)熱非常嚴(yán)重的器件，如整流橋、MOS管、快恢復(fù)二極管這些器件。

2024-04-20 標(biāo)簽：MOS管肖特基二極管整流橋 2.6萬(wàn) 0

MOS管主副電源自動(dòng)切換的電路設(shè)計(jì)

當(dāng)VUSB斷開(kāi)后，PMOS的G端的電壓（5V）由電阻R1下拉到GND，此時(shí)PMOS導(dǎo)通，VCC由VBAT（為鋰電池）供電。

2024-04-17 標(biāo)簽：二極管電路圖 usb 1798 0

MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么

功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路：對(duì)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引...

2024-04-16 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電阻 MOSFET 771 0

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