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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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功率MOS管的驅(qū)動電路中會分布各種電感,例如圖中的L,它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路:對開關(guān)驅(qū)動信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振,進(jìn)而引...
2024-04-16 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電阻MOSFET 1.2k 0
用FAN73711浮驅(qū)芯片,在起機(jī)時沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象,基本能夠正常工作,但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會發(fā)生炸機(jī),比如在源跳變時會發(fā)生PFC炸機(jī)。
當(dāng)VGS小于一定的電壓值,DS極就會導(dǎo)通,適合用于S極接正電源的情況(高端驅(qū)動)。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動,但由于其導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換...
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件,能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來改變在發(fā)射極和集電極之間流動的電流。顧名思義,光電三極管是一種晶體管,可以感應(yīng)光并改變晶...
2024-04-10 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管晶體管 3.3k 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
2024-04-09 標(biāo)簽:三極管MOS管發(fā)射機(jī) 3.1萬 0
電機(jī),按照電流的屬性,可分為交流電機(jī)與直流電機(jī)兩大類。以直流電機(jī)為例,闡述說明如何在電路方案中控制電機(jī)。
2024-04-06 標(biāo)簽:MOS管電機(jī)驅(qū)動直流無刷電機(jī) 3.8k 0
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。
推挽輸出(Push-Pull Output),故名思意能輸出兩種電平,一種是推(拉電流,輸出高電平),一種是挽(灌電流,輸出低電平)。推挽輸出可以使用一...
2024-04-06 標(biāo)簽:模擬電路上拉電阻場效應(yīng)管 4.8k 0
非隔離驅(qū)動芯片IR21814S的電路設(shè)計詳解
DCPWMB輸入高電平,推挽輸出DCDRVB高電平驅(qū)動Q121導(dǎo)通,DCPWMA為低電平,推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...
光伏儲能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計圖
完整的電化學(xué)儲能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)(BMS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、儲能變流器(PCS)以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS(Battery Ma...
穿通擊穿的擊穿點軟,擊穿過程中,電流有逐步增大的特征,這是因為耗盡層擴(kuò)展較寬,產(chǎn)生電流較大。另一方面,耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏出...
電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號,轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負(fù)載的...
淺析MOS管發(fā)熱的五大關(guān)鍵技術(shù)
做電源設(shè)計,或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到場效應(yīng)管,也就是人們常說的MOS管。
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。
2024-03-19 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管驅(qū)動電路 2.5k 0
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