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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的...
BUCK電路，又稱為降壓電路，是一種常見的直流至直流（DC-DC）電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。它的主要特點是輸入電壓高于輸出電壓，且輸出電流為連續(xù)的，而輸入電流則為脈...
如果MOS管處于米勒平臺的區(qū)間內(nèi)，MOS管工作在哪個區(qū)？
MOS管的3種工作狀態(tài)：截止區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、可變電阻區(qū)，這個想必大家都知道。但光知道這個還不太夠，還需要清楚進(jìn)入相應(yīng)工作區(qū)的充分條件。
MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對MOS...
MOS管可以通過多種測試方法來測試其質(zhì)量。其中，最常用的測試方法包括電容測試、電阻測試、絕緣測試、耐壓測試和熱阻測試等。此外，還可以通過檢查MOS管的外...
FET場效應(yīng)管，F(xiàn)ield Effect Transistor，包括結(jié)型和MOS管。
2023-03-15 標(biāo)簽：三極管二極管場效應(yīng)管 6.6k 0
同步開關(guān)噪聲（SSN）是指由于多個輸出同時發(fā)生翻轉(zhuǎn)而引起的感應(yīng)噪聲。
T3Ster是一款先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測試儀器，在數(shù)分鐘內(nèi)提供各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。T3Ster專為半導(dǎo)體、電子應(yīng)用和LED行業(yè)以及研發(fā)實驗室的應(yīng)...
相信很多電子設(shè)計工作者都知道MOS管，那么你真的知道應(yīng)該如何使用MOS管嗎？
LVDS&CML電平設(shè)計基礎(chǔ)知識
LVDS ：低電壓差分信號（Low-Voltage Differential Signaling）是美國國家半導(dǎo)體（National Semicondu...
檢測電流需要一個電阻。而電阻可以放在MOS管下，也可以放在電感的后面，我們來分析下放在這兩個位置有何好處。
該拓?fù)淇刂品绞降腜FC電路，有橋堆整流，為后邊的Boost電路提供直流輸入，TM的控制方式使高頻開關(guān)MOS管可以實現(xiàn)VS或者ZVS，續(xù)流二極管可以自...
如果你的電機(jī)工作電壓低于等于12V可能需要調(diào)整上橋臂晶體管的工作狀態(tài)。
FET和BJT都有兩個PN結(jié)，3個電極。 有如下的對應(yīng)關(guān)系。
如下圖所示為降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的基本原理圖，Vin為電壓輸入端口，Cin為輸入電源的濾波電容，Q1為降壓PWMmos管，D1為續(xù)流二極管，降壓和...
2023-03-16 標(biāo)簽：電源二極管轉(zhuǎn)換器 6.5k 0
MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計有直接的關(guān)系，縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時間可有效降低開關(guān)損耗；最后，驅(qū)動MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動芯片內(nèi)部，輸出能力很強(qiáng)，通常電...
2022-08-19 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6.4k 0
有2種檢測方法，一種是從前往后檢測，另一種就是從后往前檢測。 -從前往后檢測，是通過延遲，或者是斜率轉(zhuǎn)變的方法來找到膝點的時刻。 -從后往前...
2018-05-07 標(biāo)簽：線圈開關(guān)電源MOS管 6.4k 0
MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET，它有N溝道管和P溝道管兩種類型。
2022-11-07 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源MOS管 6.4k 0
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