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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）溫度過高會引發(fā)一系列故障，這些故障不僅影響MOS管本身的性能，還可能對整個電路系統(tǒng)造成損害。以下是對MOS管溫度...
MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是一種常用的電子元件，在電路中起著開關(guān)、放大等重要作用。然而，在某些情況下，MOS管可能會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，導(dǎo)致其失...
MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的開關(guān)速度是指其從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)（或反之）所需的時(shí)間，這個時(shí)間包括上升時(shí)間和下降時(shí)間，分別對應(yīng)輸出電壓從...
BUCK電路，又稱為降壓電路，是一種常見的直流至直流（DC-DC）電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。它的主要特點(diǎn)是輸入電壓高于輸出電壓，且輸出電流為連續(xù)的，而輸入電流則為脈...
TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。
在MOS管的上下橋驅(qū)動中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個管子處在米勒平臺的時(shí)候，會給另一個管子的Vgs電壓充電。我用的這個管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就...
逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insula...
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。
Buck電路，也就是常說的降壓電路，為直流進(jìn)-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個地。下圖為Buck電路的簡化示意圖。
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，加速關(guān)斷驅(qū)動技術(shù)是提高M(jìn)OS管開關(guān)速度和效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。由于MOS管通常具有慢開快關(guān)的特性，因此，在關(guān)斷瞬間，驅(qū)動電路需要提供一個...
2024-09-26 標(biāo)簽：二極管MOS管關(guān)斷電路 1242 0
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，電源IC直接驅(qū)動是一種簡單而有效的驅(qū)動方式。它通過電源集成電路（IC）直接控制功率MOSFET或其他開關(guān)元件的導(dǎo)通和截止，從而實(shí)現(xiàn)對負(fù)...
電子管柵極串聯(lián)電阻的作用主要體現(xiàn)在以下幾個方面： 一、限制驅(qū)動電流 防止電流過大 ：在電子管（如MOS管）的開關(guān)電路或驅(qū)動電路中，柵極的開啟過程可以看作...
2024-09-24 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻開關(guān)電路MOS管 1100 0
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管場效應(yīng)晶體管 4321 0
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽：電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 3317 0
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的G極（柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管振蕩電路 1221 0
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成：源極（S...
2024-09-18 標(biāo)簽：MOS管電子電路半導(dǎo)體器件 2191 0
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的連續(xù)漏極電...
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它利用電場來控制電流的流動。在MOSFET中，漏極電壓（Vd）是指漏極和源極之間...
2024-09-18 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管漏極電壓 2262 0
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個關(guān)鍵參...
MOS管的線性區(qū)是指MOS管在特定工作條件下，其導(dǎo)電性能隨輸入電壓（通常是柵源電壓Vgs）和輸出電壓（漏源電壓Vds）的變化而保持近似線性的區(qū)域。
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