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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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柵,以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。
詳細(xì)講解一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)
在IC內(nèi)部,如何來(lái)設(shè)置每一個(gè)晶體管的工作狀態(tài),就是通過(guò)偏置電流,恒流源電路可以說(shuō)是所有電路的基石,帶隙基準(zhǔn)也是因此產(chǎn)生的,然后通過(guò)電流鏡來(lái)為每一個(gè)功能模...
MOS管的封裝類型,常常影響著電路的設(shè)計(jì)方向,甚至是產(chǎn)品性能走向;但面對(duì)形色各異的封裝,我們?cè)撊绾伪鎰e?主流企業(yè)的封裝又有什么特點(diǎn)?
對(duì)于電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在波形,看輸入波形,MOS開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開關(guān)GS波形為例來(lái)聊...
2018-12-21 標(biāo)簽:MOS管 1.4萬(wàn) 2
MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)工作原理及問(wèn)題總結(jié)
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
2018-12-31 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路 8995 0
不同的封裝、不同的設(shè)計(jì),MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會(huì)不一樣,而它們?cè)陔娐分兴芷鸬降淖饔靡矔?huì)不一樣;另外,封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要...
那么此時(shí)副邊到底是那個(gè)二極管導(dǎo)通呢,我相信剛開始接觸LLC的朋友估計(jì)會(huì)有點(diǎn)糾結(jié),我自己是這樣判斷的,(假如Q1導(dǎo)通,Q2截止,那么此時(shí)勵(lì)磁電感肯定是上正...
淺談電源適配器的四大優(yōu)點(diǎn)以及三大注意事項(xiàng)
關(guān)于電源適配器,在我們生活中各種電器都有著應(yīng)用,這是一個(gè)能為電子電器以及隨身電子設(shè)備提供電壓變換的設(shè)施,它能做到將家中的220伏的高電壓轉(zhuǎn)換成一般電子產(chǎn)...
工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計(jì)算后,換成5A的MOS管,問(wèn)題就解決。為什么用電流裕量更小了,卻能提高可靠性...
2018-11-07 標(biāo)簽:芯片場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 7207 0
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
近年來(lái),隨著亞微米技術(shù)的發(fā)展,單片機(jī)的電源呈下降趨勢(shì)。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應(yīng)用中,VDD為2.7...
如何設(shè)計(jì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻
本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過(guò)程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲(chǔ)等對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)波形的影響,及根據(jù)這些參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的影響進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)...
2018-11-05 標(biāo)簽:MOS管柵極驅(qū)動(dòng)張飛電子 2.3萬(wàn) 0
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
防護(hù)設(shè)計(jì)中無(wú)源防護(hù)器件在電源端口的應(yīng)用
今天來(lái)認(rèn)識(shí)幾種重要的無(wú)源防護(hù)器件,主要針對(duì)這些器件在電源端口的防護(hù)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。
關(guān)于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一,于是我們整理了常見及不常見的MOS管的相關(guān)知識(shí),希望對(duì)各位工程師有所幫助。下面讓我們一起來(lái)聊聊MOS管這個(gè)非...
2018-09-29 標(biāo)簽:萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管mos管 2.7萬(wàn) 0
由MOS管構(gòu)成的開關(guān)電流電路延遲線的設(shè)計(jì)方法
開關(guān)電流技術(shù)是近年來(lái)提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比,開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能運(yùn)算放大器,整個(gè)電路均由M...
2018-09-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)mos管開關(guān)電流 1.3萬(wàn) 0
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個(gè)問(wèn)題,也見到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的...
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