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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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PD電源該如何選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管才能使產(chǎn)品更穩(wěn)定？
在國內(nèi)倍思、綠聯(lián)、安可數(shù)碼、品勝等都是PD電源的大品牌廠家，對于小廠家如何能不斷提升自身產(chǎn)品質(zhì)量來跟大品牌廠家進行PK呢？
2023-09-22 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管電源電路 1.1k 0
開關(guān)電源可以我們可以看成是一個自動控制系統(tǒng)，里面電流流動可以看成是水流的流動。
2023-09-25 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管降壓轉(zhuǎn)換器 1.1k 0
無論是NMOS還是PMOS ，按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。 或者這么記：單獨的一腳為D，逆時針轉(zhuǎn)DGS。
在電子系統(tǒng)設(shè)計中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實踐，深度解析五大核心失效機理及防護策略，為電路可靠性...
飛虹MOS管FHP1906V在全橋拓撲電路中的應(yīng)用
全橋拓撲相比于半橋或推挽拓撲，具有更高的功率處理能力、對稱的電壓轉(zhuǎn)換特性以及更好的效率，常常適用于高功率和高效率要求的應(yīng)用場景。比如：不間斷電源（UPS...
2024-12-17 標(biāo)簽：放大器場效應(yīng)管MOS管 1.1k 0
MOS管的話題雖說是老生常談，但這份資料幾年前就有人給我分享過，這是網(wǎng)上評價非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解，從管腳的識別，到極性的分辨，再到...
飛虹半導(dǎo)體FHP1906V場效應(yīng)管的特點和應(yīng)用
飛虹半導(dǎo)體針對逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制和驅(qū)動的廠商需求，推出國產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品：FHP1906V型號。
2024-11-26 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管晶體管 1.1k 0
以我們平時最常見的電源供電為例，配置的電壓為5伏特，電流為2安培。在常規(guī)情況下，二極管它是串聯(lián)在電路當(dāng)中，用來保護后級電路免受電源反接損壞。
硅碳化物（SiC）是一種重要的半導(dǎo)體材料，近年來因其優(yōu)越的物理和化學(xué)特性而在功率電子器件中受到廣泛關(guān)注。SiCMOS管（Metal-Oxide-Semi...
先說一說這個電路的用途：當(dāng)兩個MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1工作電壓5V；MCU2工作電壓3.3V)，那么MCU1與MCU2之間怎樣進行串口通...
晶揚電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用
靜電放電，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的...
貨車等大型車輛作為現(xiàn)今資源運輸?shù)闹匾ぞ咧?，在追求運輸量提高的同時也帶來了諸多的安全隱患，體積大導(dǎo)致出現(xiàn)了越來越多的視線盲區(qū)，質(zhì)量大導(dǎo)致慣性加大，從而...
哪一款MOS管可以替代IPP030N10N3G應(yīng)用于MPPT控制器中
研發(fā)工程師在研發(fā)電路時，我們都清楚MPPT控制器作為光伏系統(tǒng)的大腦，其每一個電子元器件的使用都是非常關(guān)鍵的。
2023-01-13 標(biāo)簽：控制器場效應(yīng)管MOS管 1.1k 0
1、電接口設(shè)計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。
2023-07-19 標(biāo)簽：示波器穩(wěn)壓二極管MOS管 1.1k 0
用于限制晶體管的基本電流和LED電流。如***圖2-1***通過設(shè)定阻值，來限制電流在適當(dāng)范圍，還有諸如驅(qū)動MOS管的限流電阻等等。
飛虹半導(dǎo)體FHP160N06V場效應(yīng)管的產(chǎn)品特點
Trench工藝通過其深且窄的溝槽結(jié)構(gòu)、高精度刻蝕與填充、垂直結(jié)構(gòu)集成、兼容性強等特點，能夠滿足大多數(shù)電子設(shè)備對高性能、高密度和高可靠性的需求，廣泛應(yīng)用...
超結(jié)硅功率MOS在開關(guān)電源芯片U8623中對降低EMI（電磁干擾）干擾、增強EMS（電磁抗擾度）抗干擾能力起到了重要作用。
2025-01-17 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管電源芯片 1.1k 0
MOS管選型需考慮溝道類型（NMOS或PMOS）、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝，同時需結(jié)合電路設(shè)計、工作環(huán)境及成本，避免混淆NMOS和PMOS。“...
開關(guān)電源技術(shù)提升，怎么選擇優(yōu)質(zhì)的MOS管廠家呢？
依據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種反激式開關(guān)電源的保護裝置、方法和電動汽車“，公開號CN117220516A。通過該申請...
2023-12-15 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)管MOS管 1.1k 0
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