MOS管介紹

MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大

2017-10-24 標(biāo)簽：MOS管 1.8萬(wàn) 0

對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)

到底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線(xiàn)電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式...

2017-09-18 標(biāo)簽：汽車(chē)電子mos管雪崩失效 1.1萬(wàn) 0

數(shù)字電位器的應(yīng)用及考量

X9313為工業(yè)級(jí)的32抽頭數(shù)控電位器，最大阻值為10 kΩ，采用8引腳，有DIP、OIC、FSSOP 3種封裝。X9313的內(nèi)部功能框圖，如圖3所示。...

2017-06-30 標(biāo)簽：單片機(jī)電位器mos管 1.7k 0

寄生電感和MOSFET的交互關(guān)系是什么？雙向開(kāi)關(guān)電感電路圖分析設(shè)計(jì)

最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時(shí)間，比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開(kāi)關(guān)損耗降低，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實(shí)現(xiàn)了更...

2017-06-15 標(biāo)簽：電阻mos管電感 6.8k 0

三極管和MOS管怎么對(duì)接下拉電阻，電阻自動(dòng)降壓電阻該如何設(shè)計(jì)？

線(xiàn)路分析：電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，按下啟動(dòng)按鈕SB1，接觸器KM1線(xiàn)圈得電，KM1吸合，KM1的常開(kāi)接點(diǎn)閉合，使KM2線(xiàn)圈得電，KM2的常開(kāi)接點(diǎn)自鎖，使KM1、KM...

2017-06-12 標(biāo)簽：三極管電阻mos管 1.3萬(wàn) 0

電阻在MOS管電路中的注意事項(xiàng)及參考選擇方法，泄放電阻和柵極電阻有什么區(qū)別？

MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗，又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求...

2017-06-09 標(biāo)簽：二極管電阻mos管 3.2萬(wàn) 0

電位電阻傳感器的工作原理，在開(kāi)關(guān)電路中，電阻有何作用？該如何為電阻選型

　由于測(cè)量領(lǐng)域的不同，電位器結(jié)構(gòu)及材料選擇有所不同。但是其基本結(jié)構(gòu)是相近的。電位器通常都是由骨架、電阻元件及活動(dòng)電刷組成。常用的線(xiàn)繞式電位器的電阻元件由...

2017-06-08 標(biāo)簽：傳感器電阻mos管 5.2k 0

電容效應(yīng)于二極管的作用是什么？電容緩沖電路該如何設(shè)計(jì)？

首先，測(cè)量MOSFET開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（SW）在關(guān)斷時(shí)的振鈴頻率（Fring）。在MOSFET上焊接一個(gè)100 pF低ESR薄膜電容。增加電容，直到振鈴頻率為初...

2017-06-01 標(biāo)簽：二極管電容mos管 1.3萬(wàn) 0

什么是IGBT固態(tài)脈沖，它的工作原理是什么？IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)

對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管，由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無(wú)窮大，故不能用此法判斷。一般地，可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱(chēng)，標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀(guān)...

2017-05-24 標(biāo)簽：萬(wàn)用表mos管igbt 4.7k 0

常用的功率元器件大全,防爆變頻機(jī)的設(shè)計(jì)，你想知道的全在這里！

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速技術(shù)日益成熟，通用變頻器得到了迅速發(fā)展，各種品牌的變頻器在自控領(lǐng)域的各行各業(yè)都得到了廣泛的應(yīng)用。但在一些有爆炸性氣體...

2017-05-23 標(biāo)簽：變頻器mos管igbt 3k 0

LED溫度保護(hù)電路和最基本的照明LED設(shè)計(jì)方案解析

隨著LED照明應(yīng)用的發(fā)展，國(guó)內(nèi)外廠(chǎng)家推出了很多用于驅(qū)動(dòng)LED的器件。其中美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的LM3404及系列產(chǎn)品就是一款非常適用于中小功率LED光...

2017-05-20 標(biāo)簽：led電阻mos管 3.6k 0

基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，使用電阻控制IGBT開(kāi)關(guān)的方法剖析

R2C2稱(chēng)為反肩峰電路。當(dāng)仿真線(xiàn)向不匹配的負(fù)載放電會(huì)在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的，其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等，而電容...

2017-05-17 標(biāo)簽：單片機(jī)mos管igbt 2.9k 2

IGBT與MOS管的區(qū)別，IGBT與可控硅的區(qū)別，IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流...

2017-05-14 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶閘管mos管 5.5萬(wàn) 0

MOS管的工作原理，不做到這五點(diǎn)就不能叫MOS管？

在轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)上，gm 是曲線(xiàn)在某點(diǎn)上的斜率，也可由iD的表達(dá)式求導(dǎo)得出，單位為 S 或 mS。（6） 最大漏極電流 IDM（7） 最大漏極耗散功率 P...

2017-05-09 標(biāo)簽：電阻電容mos管 1.4萬(wàn) 0

自動(dòng)關(guān)機(jī)電路，自動(dòng)關(guān)機(jī)原理分析

今天用萬(wàn)用表的時(shí)候，突然很奇怪，為什么過(guò)了一段時(shí)間不使用后它就“自我了結(jié)”了呢？怎么實(shí)現(xiàn)的呢？實(shí)驗(yàn)室的福祿克表，蠻貴，不敢擅自拆開(kāi)，所以就網(wǎng)上查詢(xún)資料，...

2017-04-26 標(biāo)簽：萬(wàn)用表mos管自動(dòng)關(guān)機(jī) 1.8萬(wàn) 2