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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文:MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effec...
2011-11-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管電子電路 1.6萬 4
MOS 管功放具有激勵(lì)功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù),安全可靠,且有工作頻率高,偏置簡單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入,達(dá)到抑制...
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對器件的特...
以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變
開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對相互
2010-11-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管 4311 0
MOS管主要參數(shù): 1.開啟電壓VT ·開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓; ·標(biāo)準(zhǔn)
2009-04-06 標(biāo)簽:MOS管 2.9萬 3
MOS管 發(fā)表與 2006-2-6 9:12:17 線性電子電路教案第三章 場效應(yīng)管知識要點(diǎn):場效應(yīng)管原理、場效應(yīng)管
2006-10-07 標(biāo)簽:MOS管 1.2萬 3
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