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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管被擊穿的原因及解決方案,電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會(huì)遭受靜電破壞呢?可以這么說(shuō):電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過(guò)程都遭受靜電破壞的威脅
士蘭微電子推出高壓MOS管的原邊控制開(kāi)關(guān)電源SD6853/6854
杭州士蘭微電子公司在綠色電源控制器領(lǐng)域繼續(xù)推出新品----內(nèi)置650V高壓MOS管的原邊控制開(kāi)關(guān)電源SD6853/6854。
2011-12-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源士蘭微電子MOS管 4.6k 0
MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在SMPS以及DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要...
2011-11-28 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.9k 0
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文:MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effec...
2011-11-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電子電路 1.7萬(wàn) 4
MOS 管功放具有激勵(lì)功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù),安全可靠,且有工作頻率高,偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入,達(dá)到抑制...
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長(zhǎng)度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對(duì)器件的特...
以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō),在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互
2010-11-02 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管 5.7k 0
MOS管主要參數(shù): 1.開(kāi)啟電壓VT ·開(kāi)啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓; ·標(biāo)準(zhǔn)
2009-04-06 標(biāo)簽:MOS管 3.0萬(wàn) 3
MOS管 發(fā)表與 2006-2-6 9:12:17 線性電子電路教案第三章 場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)要點(diǎn):場(chǎng)效應(yīng)管原理、場(chǎng)效應(yīng)管
2006-10-07 標(biāo)簽:MOS管 1.2萬(wàn) 3
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