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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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這個(gè)DIY磁懸浮電路的主要部件是霍爾效應(yīng)傳感器和 MOSFET 晶體管和一個(gè)電磁線圈。我們之前使用電磁線圈構(gòu)建了其他有趣的項(xiàng)目,例如迷你特斯拉線圈、電磁...
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)的工作原理分析
每個(gè)晶體管的兩個(gè)p-n結(jié)提供了電荷流動(dòng)的電子能壘,而晶體管可以通過(guò)向溝道上方的柵極施加電壓來(lái)導(dǎo)通。
巧用IC負(fù)載開關(guān)的特性來(lái)安全地降低功耗
為了最大限度地降低功耗,一個(gè)簡(jiǎn)單的MOSFET通常用于為未使用的電路提供電源。 然而,更好的選擇是使用負(fù)載開關(guān),因?yàn)樗哂蓄~外的功能來(lái)處理電源軌管理的許...
2018-03-16 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)低功耗 1.2萬(wàn) 0
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域,電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶體驗(yàn)。無(wú)論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航,還是電動(dòng)工具的高效作業(yè),都離不開一...
LLC諧振變換器可以突破傳統(tǒng)諧振變換器的局限。正是由于這些原因,LLC諧振變換器被廣泛應(yīng)用在電源供電市場(chǎng)。LLC諧振半橋變換器拓?fù)淙鐖D1所示,其典型波形...
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)、Si MOSFET(硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?,從?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
開關(guān)電源的工作原理 開關(guān)電源電路圖詳解
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
資深工程師分享的一款醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)通過(guò)光耦實(shí)現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
DC/DC是將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的開關(guān)穩(wěn)壓器,原理是利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性,通過(guò)可控開關(guān)(MOSFET等)進(jìn)行高頻開關(guān)的動(dòng)作,將輸入的電能...
2024-07-08 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器開關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬(wàn) 0
基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
功率場(chǎng)效應(yīng)管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)...
2018-12-25 標(biāo)簽:mosfet晶體管驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬(wàn) 0
高速超大規(guī)模集成電路的尺寸的不斷減小,功耗的不斷降低,要求供電電壓也越來(lái)越低,而輸出電流則越來(lái)越大。
2025-03-25 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 1.1萬(wàn) 0
介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過(guò)最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
如何利用DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器進(jìn)行精確地限制電流?
高端電流檢測(cè)放大器也可用于通過(guò)電源路徑中的電流檢測(cè)電阻測(cè)量小壓降。它們可以非常準(zhǔn)確地測(cè)量電流。
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬(wàn) 0
關(guān)于防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)的討論
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣?,這樣電路就永遠(yuǎn)有正確的極性。
只要是學(xué)過(guò)《電力電子技術(shù)》這門課程,接觸過(guò)一個(gè)名叫“Buck電路”的電力電子拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如下圖所示。
2023-10-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1.1萬(wàn) 0
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些?如何區(qū)分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動(dòng)。
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬(wàn) 0
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