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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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對(duì)緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們開(kāi)始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體...
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間 (SCWT),或者說(shuō)軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 249 0
在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門(mén)開(kāi)始。
半導(dǎo)體變遷史科普:計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世
無(wú)可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠(chǎng)的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...
60V輸入單芯片轉(zhuǎn)換器為關(guān)鍵電路供電
LTC3649是一款單芯片降壓調(diào)節(jié)器,能夠在3.1 V至60 V的輸入電 壓范圍內(nèi)工作,并可在高達(dá)4 A的輸出電流下高效產(chǎn)生單個(gè)電阻可編程輸出電壓。僅這...
2023-02-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 984 0
高效率、降壓型μModule穩(wěn)壓器打造真正的大功率密度解決方案
LTM4626 和 LTM4638是高效率、降壓型 μModule? 穩(wěn)壓器,能夠采用 3.1 V 至 20 V 的輸入電壓分別提供 12 A 和 15...
用1枚MOSFET進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)的電機(jī)電流和再生電流
本文將探討使用1枚MOSFET對(duì)有刷直流電機(jī)進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)的電機(jī)電流和再生電流。有多種方法可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng),其中包括通過(guò)在電機(jī)和接地間插入MO...
擴(kuò)大40年期電源電壓范圍,從<300uA到3A無(wú)電阻電流檢測(cè)解決方案
在高達(dá)80V的高電壓電平(共模電平)應(yīng)用中,由外部的簡(jiǎn)單電 流檢測(cè)放大器(CSA)(但為了使結(jié)構(gòu)達(dá)到精度和準(zhǔn)確性要求,集 成電路的設(shè)計(jì)比較復(fù)雜)和檢測(cè)電...
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯,高性能MOSFET的需求也越來(lái)越大,通過(guò)改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
詳解運(yùn)放的偏置電流Ib與失調(diào)電流Ios
我們前面說(shuō)過(guò),理想運(yùn)放的同相端和反相端的輸入電流為0,所以才有“虛斷”的說(shuō)法,但是實(shí)際運(yùn)放的輸入管腳都會(huì)流入或流出少量的電流,并且經(jīng)常同相端的電流和反相...
由閾值電壓的公式可看出,閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān),所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí),此模型不再精確,閾值電壓與L、...
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線(xiàn)及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來(lái)源有三個(gè):基本的MO...
作為設(shè)計(jì)人員,如何選擇合適的 MOSFET 來(lái)開(kāi)關(guān)電源?當(dāng)然,它必須具有正確的電壓和電流額定值。效率也很重要,所以你檢查它的RDS(開(kāi)啟)也許還有一些動(dòng)...
在關(guān)于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)電氣化的第三篇博客中,我們首先嘗試了解為什么使用48伏特系統(tǒng),然后介紹48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)的不同安裝選項(xiàng)。
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車(chē)電子發(fā)電機(jī) 1371 0
什么是IGBT?本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫(xiě),中文名稱(chēng)是“絕緣柵雙極晶體管”。
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中,如果偏離預(yù)期的諧振條件,MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)引發(fā)直通電流,這可能會(huì)造成開(kāi)關(guān)損耗增加,最壞的情況下可能會(huì)...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 2046 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的基本工作
在上一篇的圖2的區(qū)域(2)中,MOSFET導(dǎo)通時(shí)是ZVS工作,因此LLC轉(zhuǎn)換器通常在這個(gè)區(qū)域使用。圖3為區(qū)域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1718 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)
在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時(shí),LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過(guò)部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作,部分諧...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1479 0
內(nèi)置功率MOSFET的高性能BM2Pxxx系列AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC
ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單,并滿(mǎn)足近年來(lái)對(duì)AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項(xiàng)的涵...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1631 0
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