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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何選取MOSFET,關(guān)于MOSFET相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有:雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封...
2023-02-07 標(biāo)簽:pcbMOSFET開關(guān)電源 2015 0
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過1000億元
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使IC能夠取代許多機(jī)械繼電器,但繼電器在大電流電路中仍然占主導(dǎo)地位,這些電路必須承受任意極性的高電壓。然而,這些繼電器中的觸點(diǎn)反彈可能會(huì)...
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 底部缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的最新進(jìn)展已經(jīng)消除了檢流電阻,而是用壓降代替低側(cè)MOSFET(同步整流器)兩端。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)節(jié)省了檢測(cè)電阻的成本和空間,并適度...
2023-02-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 605 0
交流充電樁:本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單,需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
為了減少元件數(shù)量并簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì),RET將單極或雙極晶體管與集成在同一芯片上的偏置電阻相結(jié)合。另一種選擇是包括一個(gè)與基極-發(fā)射極路徑并聯(lián)的第二個(gè)集成作為...
增強(qiáng)的體二極管特性可優(yōu)化Qrr和Vsd
MOSFET的體二極管能夠讓感性負(fù)載電流在MOSFET處于“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)繞開MOSFET。因此,它在同步整流(AC-DC和DC-DC)和電機(jī)控制(全橋和...
超大規(guī)模計(jì)算通常依賴于具有超高可擴(kuò)展性的服務(wù)器架構(gòu)和虛擬網(wǎng)絡(luò)。要確保設(shè)備全天24小時(shí)保持連接,熱插拔功能仍然是一種關(guān)鍵功能。但是,要在開關(guān)效率和強(qiáng)大安全...
了解有關(guān)齊納二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
電壓不超過5 V時(shí),在反向偏置結(jié)的耗盡區(qū),電子從價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)電帶形成電子貫穿,從而產(chǎn)生電擊穿。一旦電場(chǎng)強(qiáng)度足夠高,自由電荷載流子就會(huì)導(dǎo)致反向電流陡然增加。...
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
許多工程師第一次使用模擬開關(guān),往往會(huì)把模擬開關(guān)完全等同于機(jī)械開關(guān)。其實(shí)模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性,但和機(jī)械開關(guān)有所不同,它本身還具有半導(dǎo)體特性:
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體模擬開關(guān) 3224 0
詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)
帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 1392 0
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì),如低損耗、高速開關(guān)、高溫...
開關(guān)電源芯片U321 是一款高性能低成本PWM控制功率器,適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。
特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
在介紹MOSFET之前,我們先來了解一下FET的工作原理。FET又叫做場(chǎng)效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道)
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管FET 1396 0
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