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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器絕緣能力的最大功率限制
對于IGBT/MOSFET驅(qū)動器電氣過應(yīng)力測試(EOS測試),設(shè)置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細闡述了碳化硅三...
保護和供電汽車電子系統(tǒng),無開關(guān)噪聲效率高達99.9%
面對拋負載的一種解決方案是增加一個瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管,以本地箝位ECU電源。更緊湊、更嚴格的容差方法是使用有源浪涌抑制器,例如 LTC436...
開關(guān)穩(wěn)壓器使用占空比來實現(xiàn)電壓或電流反饋控制。占空比是導(dǎo)通時間(T上) 到整個周期長度,關(guān)斷時間 (T關(guān)閉)加上導(dǎo)通時間,并定義了輸入電壓和輸出電壓之間...
2022-12-20 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 3736 0
隔離式柵極驅(qū)動器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動強度,以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動,并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵...
在電動機控制等部分應(yīng)用中,放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過快會導(dǎo)致電動機上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進而縮短電動機壽命。
現(xiàn)代汽車和工業(yè)系統(tǒng)需要穩(wěn)定的電壓源,即使系統(tǒng)輸入電壓從一個極端掃描到另一個極端。在汽車系統(tǒng)中,冷啟動啟動、動態(tài)燃油管理系統(tǒng)中的氣缸停用/激活或發(fā)動機負載...
什么是IGBT的退飽和?什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)?
如下圖,是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線,橫軸是C,E兩端電壓,縱軸是歸一化的集電極電流??梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個部分。
如何選擇升壓穩(wěn)壓器/控制器IC并使用LTspice選擇外設(shè)元件
圖5顯示了異步升壓拓撲的簡化原理圖,圖6顯示了異步降壓拓撲的簡化原理圖。兩者的D模塊是驅(qū)動功率MOSFET的PWM信號,開關(guān)周期的占空比由輸入和輸出電壓...
漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
為MAX14922選擇合適的N溝道MOSFET用于高邊工業(yè)輸出應(yīng)用
本應(yīng)用筆記解釋了如何在高邊工業(yè)負載開關(guān)應(yīng)用中選擇與MAX14922配合使用的合適的外部n溝道MOSFET。
實現(xiàn)牽引逆變器中碳化硅的電動汽車續(xù)航里程擴展承諾
幸運的是,同時發(fā)生的半導(dǎo)體革命產(chǎn)生了新的 寬帶隙器件,例如碳化硅 (SiC) MOSFET 功率開關(guān) 有助于縮小消費者對電動汽車續(xù)航里程的期望與原始設(shè)備...
如何有效地比較CMOS開關(guān)與固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容,CDS(關(guān)閉),是衡量關(guān)斷開關(guān)阻止源極信號耦合到漏極的能力的指標。它是固態(tài)繼電器(也稱為 PhotoMOS、OptoMOS、光...
LED 照明的設(shè)計人員已經(jīng)很快熟悉了各類適用的安全標準,如針對美國通用 LED 燈的 IEC 62560、針對 LED 陣列和模塊的 IEC 62031...
高效DC/DC轉(zhuǎn)換器從3.3V背板提供兩個15A輸出
3.3V 直流母線在寬帶網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中廣受歡迎,用于各種較低電壓,為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V,通常需要高負...
2022-12-13 標簽:電源MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 1666 0
單片式驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)如何改進電源系統(tǒng)設(shè)計
本文介紹最新的驅(qū)動器加MOSFET(DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)在功率密度、效率和熱性能方面得到...
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