溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

2022-10-27 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 8541 0

看一下MOSFET場效應(yīng)管的相關(guān)知識內(nèi)容和典型的使用方法

場效應(yīng)管與三極管比較類似，都是三端元器件，但是三極管是一種流控型的半導(dǎo)體器件，而場效應(yīng)管是一種壓控型的半導(dǎo)體器件

2022-10-27 標(biāo)簽：三極管MOSFET場效應(yīng)管 1819 0

LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)

雖然LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗低，但受失諧的影響，開關(guān)損耗可能會增加，并且可能會導(dǎo)致MOSFET損壞。

2022-10-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1590 0

分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動電路

分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動電路，都用過嗎？

2022-10-26 標(biāo)簽：MOSFETMOS管柵極驅(qū)動電路 6349 0

MOS管怎么用？從認(rèn)識米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2022-10-25 標(biāo)簽：三極管MOSFETMOS管 2358 0

晶體管絲印標(biāo)識與型號、原理圖符號

一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結(jié)型晶體管，其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和...

2022-10-25 標(biāo)簽：原理圖MOSFETMOS管 2.2萬 0

PFC MOSFET的開關(guān)損耗測試方案

MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗...

2022-10-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管PFC 2414 0

SiC MOSFET必不可少的可靠性測試

在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域，越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件，隨著時間發(fā)展，硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限，碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開始大放異彩

2022-10-18 標(biāo)簽：MOSFETSiC 5092 0

MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2022-10-14 標(biāo)簽：MOSFETMOS管晶體管 6621 0

具有一個36ms的接通延遲AC電源的LTC4365

兩個比較器輸入采用一個外部阻性分壓器提供了過壓 (OV) 和欠壓 (UV) 設(shè)定點(diǎn)的配置。

2022-10-13 標(biāo)簽：MOSFET比較器LTC4365 1009 0

MOSFET是如何成為一個電流源的呢

當(dāng)VGS>VTH時，MOSFET表現(xiàn)為一個壓控電阻；但是，能讓MOSFET成為現(xiàn)在集成電路中的翹楚，肯定不是只是壓控電阻這么簡單呢。

2022-10-13 標(biāo)簽：MOSFET電流源壓控電阻 3846 0

開關(guān)電源：關(guān)于電容選型

該輸入電容器的電流所產(chǎn)生的電壓（波形）因電容器的“靜電電容”之外存在的寄生成分“ESR（等效串聯(lián)電阻）”及“ESL（等效串聯(lián)電感）”的差異而不同。

2022-10-10 標(biāo)簽：電容器MOSFET電源芯片 2620 0

一種二維材料半導(dǎo)體晶體管多柵結(jié)構(gòu)

背柵控制隨著納米線直徑的增加而逐漸減??；（c）器件具有大開態(tài)電流和小的SS。

2022-10-10 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1978 0