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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流,因而得名...
2022-09-20 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7342 0
傳統(tǒng)功率MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別
超級(jí)結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗...
2022-09-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管電流驅(qū)動(dòng) 8315 0
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-09-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 7435 0
眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...
空穴”帶正電,電子帶負(fù)電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。
圖1和圖2分別給出了LLC諧振變換器的典型線路和工作波形。如圖1所示LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個(gè)功率MOSFET(Q1和Q2),其占空比都為0.5;諧振電容Cr...
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分,一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi),半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體...
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET介紹及應(yīng)用電路
前幾天給大家講了一下晶體管BJT,今天講一下場(chǎng)效應(yīng)管-MOSFET。
2022-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 4991 0
LT8652S雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器電路描述及功能
LT8652S是一款雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器,具有3 V至18 V的輸入范圍。兩個(gè)通道可同時(shí)提供高達(dá)8.5 A的連續(xù)電流且每個(gè)通道支持高達(dá)12 A的...
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動(dòng)重要逆變器級(jí)所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動(dòng)器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
2022-08-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2149 0
是時(shí)候深吸一口氣了,我們即將深入電力電子的深處。我一開始就要說(shuō),這是一個(gè)非常有益的領(lǐng)域。
2022-08-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 515 0
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長(zhǎng)電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過(guò)程的效率是延長(zhǎng)車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3638 0
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效
隨著電池和超級(jí)電容等高效蓄能器的大量使用,更好的電流控制成為一種趨勢(shì)。今天為大家介紹的是一種雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器,其雙向性允許電流發(fā)生器同時(shí)具備充電和放...
2022-08-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 2467 0
回到 ENIAC 時(shí)代,計(jì)算機(jī)本質(zhì)上更多是模擬的,并且使用的數(shù)字 IC 很少。今天,Joe 的計(jì)算機(jī)一般可以在多個(gè)電壓等級(jí)下工作,看過(guò) CPU SMPS...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電平轉(zhuǎn)換器微處理器 4078 0
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí),MOS管開始導(dǎo)通電流。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)
MOSFET簡(jiǎn)介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)
耐壓:通常所說(shuō)的VDS,或者說(shuō)是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來(lái)定義這個(gè)參數(shù)的呢?
柵極驅(qū)動(dòng)器和功率 MOSFET 的放置對(duì)于前置驅(qū)動(dòng)器電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案的正確運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。對(duì)于具有集成 MOSFET 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,例如 DRV...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)布線 5265 0
BLDC電機(jī)換向的原理 三相BLDC電機(jī)設(shè)計(jì)解析
ADA4571 使用各向異性磁阻 (AMR) 技術(shù)。一種典型的實(shí)施方式是在 BLDC 電機(jī)軸的末端安裝一個(gè)徑向磁化圓盤。圓盤的磁場(chǎng)穿過(guò)傳感器的平面,并且...
Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8.9V左右,7805工作,輸出5V電壓給單片機(jī)供電。
2022-08-24 標(biāo)簽:單片機(jī)MOSFET開關(guān)機(jī)電路 2411 0
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