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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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硅功率 MOSFET 沒有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化,其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...
準(zhǔn)諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
我原以為,這是一個簡單的項目,直到遇到其他資深專業(yè)人士對所使用的方法和所獲得的結(jié)果的拒絕。有這些準(zhǔn)諧振 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器 正在使用中,它們的預(yù)期工...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 925 0
隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來越流行,正在執(zhí)行不同的耐久性測試來評估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運(yùn)行情況。毫無疑問,電力電子在未來幾年內(nèi)將繼續(xù)在基礎(chǔ)...
動態(tài)測試確認(rèn)SiC開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
如果無法應(yīng)用被動解決方案,最好使用主動解決方案,這些解決方案通常由用于測量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在。基于半導(dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開關(guān)的真空管,使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
快速恢復(fù)二極管CMF02A應(yīng)對車載電源設(shè)計挑戰(zhàn)
CMF02A是一款具有高速開關(guān)用途的FRD二極管,與典型二極管相比,F(xiàn)RD具有更短的反向恢復(fù)時間(trr),因此具有更快的開關(guān)時間和更低的損耗。當(dāng)然,C...
選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個 MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla ...
使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.3萬 0
幾十年來,基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...
1200V 300A SiC MOSFET開關(guān)性能評估
由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...
如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...
MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
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