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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于MOSFET構(gòu)建的500W RMS功率放大器電路設計
這是基于MOSFET構(gòu)建的500WRMS功率放大器電路設計。該電路作為“LEGENDstageMasterMK2”在EE音頻愛好者中非常流行。這是一個非...
智能混合信號無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)
評估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦??焖僦烽_關采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個電源電壓范圍內(nèi)...
動態(tài)VDS保護對開關階段進行監(jiān)控,而靜態(tài)VDS保護則在MOSFET完全導通時工作。對于在工廠生產(chǎn)線上編程的已知電壓與時間的開關曲線,所選的FLEXMOS...
基于SiC MOSFET的三相全橋數(shù)字化智能驅(qū)動器
隨著無人機和多電飛機的發(fā)展,更高的功率和效率成了機載電機驅(qū)動器的主要研究方向之一?,F(xiàn)有的Si MOSFET開關速度雖快,但耐壓和耐流能力有限,無法實現(xiàn)大...
高耐壓600V半橋柵極驅(qū)動器WD0412引腳參數(shù)與電路應用
WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨驅(qū)動兩個高壓大功率 MOSFET 或 IG...
在柵源短接,漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同,實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關于V(BR)...
晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設計中使用它們。
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,...
如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動過程中有效消除MOSFET的過應力
本應用筆記主要從三個方面探討“如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動過程中有效消除 MOSFET 的過應力”:第一,具有立锜專有嵌入式軟啟動功能的反激式控制器設計;其次...
2022-04-20 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET反激式控制器 6581 0
RT6204應用原理圖如圖1所示。RT6204是一款電流模式轉(zhuǎn)換器,具有外部補償和外部軟啟動功能。該轉(zhuǎn)換器具有集成的高邊 MOSFET 開關和同步整流器...
2022-04-20 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電流模式 3436 0
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離...
MOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFE...
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