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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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多級圖騰柱 PFC 為設(shè)計人員提供了優(yōu)于 2 級設(shè)計的市場吸引力優(yōu)勢,包括顯著更小的電感器、更低的 dv/dt 和更低的開關(guān)損耗。開關(guān)工作電壓的固有降低...
當(dāng)我們使用MOS管進行一些PWM輸出控制時,由于此時開關(guān)頻率比較高,此時就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管,從理論上說,MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵...
移相ZVS變換器使用MOSFET器件的潛在風(fēng)險分析
在過去的幾年中,對具有足夠效率來管理大功率的系統(tǒng)的市場需求促使開關(guān)電源設(shè)計人員開發(fā)具有低電損耗的拓?fù)洹WM相移控制全橋變換器是一種非常流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
東芝推出集成快速恢復(fù)體二極管的DTMOSVI系列產(chǎn)品
2021年11月初,新一輪國際能源氣候大會在英國舉辦,會上確定了各國碳中和、碳達峰的時間表。對此,中國也制定出了符合發(fā)展中國家國情的“雙碳3060”戰(zhàn)略...
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點,因...
在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時,要選擇trr小的產(chǎn)品,這一點很重要。
我們知道本征半導(dǎo)體是不導(dǎo)電的,好比純水的導(dǎo)電性不強,想要它導(dǎo)電,就摻上雜質(zhì)。讓水導(dǎo)電就給他加鹽,產(chǎn)生離子,讓半導(dǎo)體導(dǎo)電,就摻上三價或者五價元素,形成空穴...
穩(wěn)壓器會產(chǎn)生具有恒定預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無論其輸入電壓或負(fù)載條件是否變化。穩(wěn)壓器分為兩類:線性和開關(guān)式。
2022-03-16 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 1910 0
詳細(xì)分析MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。
羅姆第4代SiC MOSFET在電動汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢
羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
TMC6140 MOSFET柵極驅(qū)動器概述、性能及優(yōu)勢
高度集成的TMC6140-LA有效簡化高性能BLDC/PMSM驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計,效率提升30%。
2022-03-04 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動系統(tǒng) 2214 0
從硅過渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
派恩杰半導(dǎo)體認(rèn)為,Cascode結(jié)構(gòu)只是從Si產(chǎn)品轉(zhuǎn)向SiC產(chǎn)品的一個過渡產(chǎn)品,因為Cascode結(jié)構(gòu)完全無法發(fā)揮出SiC器件的獨特優(yōu)勢。
PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級反激式開關(guān)IC
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年電動汽車發(fā)展異?;馃?,銷量是節(jié)節(jié)攀升,其續(xù)航能力也在不斷取得突破。但里程焦慮還沒有徹底解決,為了應(yīng)對該問題,汽車廠商...
高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片,表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)...
應(yīng)用筆記:正確理解驅(qū)動電流與驅(qū)動速度
本文主要闡述了在驅(qū)動芯片中表征驅(qū)動能力的關(guān)鍵參數(shù):驅(qū)動電流和驅(qū)動時間的關(guān)系,并且通過實驗解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-01-27 標(biāo)簽:MOSFET 4737 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))大至功率變換器,小至內(nèi)存、CPU等各類電子設(shè)備核心元件,哪里都少不了MOSFET的應(yīng)用。MOSFET作為一種半導(dǎo)體器件,既...
SiC MOSFET 具有超低輸入電容,因此開啟器件所需的柵極電荷也非常低。PWM 控制器 IC 可以直接驅(qū)動 SiC MOSFET,無需額外的驅(qū)動器 ...
2022-02-06 標(biāo)簽:變壓器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2.2萬 0
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