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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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目前的目標(biāo)是更加縮小設(shè)計尺寸并提高效率。為了達(dá)到目標(biāo)必須縮短開關(guān)路徑以及在 Z 軸上重迭安裝器件。
2022-01-05 標(biāo)簽:pcbMOSFET降壓轉(zhuǎn)換器 2487 0
然而,在實際應(yīng)用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運行保駕護(hù)航
傳統(tǒng)的過電壓(OV)和過流(OC)保護(hù)系統(tǒng)往往包括:用于過濾低能量尖峰的電容器和電感、用于過電壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)、用于直流過流保護(hù)的保險絲...
芯茂微推出可靠性媲美MOSFET的12W內(nèi)置BJT的PSR電源解決方案
充電器和適配器是我們生活中非常常見的產(chǎn)品,我們很多人可能只知道這些產(chǎn)品是用來充電的,但是可能不知道具體是如何實現(xiàn)充電的,本文就帶大家詳細(xì)了解一下。
別被低頻噪聲嚇到,使用 4200A-SCS 參數(shù)分析儀測量1/f 電流噪聲
在測量設(shè)置中,噪聲來自不同的來源,其中之一是測量儀器本身。為提取被測器件 (DUT) 的噪聲特點,儀器噪聲必須小于 DUT 噪聲。
思睿達(dá)TT6267SK測試報告 良好EMI特性 低功耗 方便散熱
1、樣機(jī)介紹 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率18W,恒壓輸出的工程樣機(jī),控制IC采用了本公司的TT6267SK。 TT6267SK...
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見的開關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
【技術(shù)大咖測試筆記系列】之八:低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
低電流范圍內(nèi)電氣表征的典型問題是:必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實現(xiàn)的器件性能。
首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“,可提升電源效率4%!
工業(yè)三相供電(400 VAC to 690VAC)的功率變換系統(tǒng),其母線電壓通常高于600V,母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。
設(shè)計筆記 一種用于測量極低電阻的簡單比率技術(shù)
極低值電阻器(即,毫歐 (mΩ) 及以下)的最常見應(yīng)用可能是電流控制電路,它們的低值可降低功率損耗。對于這些應(yīng)用,大約 10%-20% 的容差就足夠了。...
工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰,S...
思睿達(dá)CR6889B方案能否替換XX11?測試數(shù)據(jù)分析
我們將為大家?guī)硭碱__(dá)主推的CR6889B替換XX11對比 測試 報告。話不多說,我們先了解下思睿達(dá)CR6889B的大概內(nèi)容吧! CR6889B芯片特性...
思睿達(dá)主推EMI特性良好的CR6889B與XX8267是否可相互替換?對比測試報告
SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開關(guān); ● 內(nèi)置軟啟動,減小MOSFET 的應(yīng)力,斜坡補(bǔ)償電路; ● 65kHz 開關(guān)頻率,具有頻...
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