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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計(jì)中,初級(jí)MOSFET和有源鉗位開(kāi)關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作(因此這些鉗位電路被稱為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路)。
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實(shí)現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八:低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
低電流范圍內(nèi)電氣表征的典型問(wèn)題是:必需確定低功率/低漏流MOSFET在不同條件下可實(shí)現(xiàn)的器件性能。
首款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎(jiǎng)“,可提升電源效率4%!
工業(yè)三相供電(400 VAC to 690VAC)的功率變換系統(tǒng),其母線電壓通常高于600V,母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。
2021-10-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)SiC 2150 0
設(shè)計(jì)筆記 一種用于測(cè)量極低電阻的簡(jiǎn)單比率技術(shù)
極低值電阻器(即,毫歐 (mΩ) 及以下)的最常見(jiàn)應(yīng)用可能是電流控制電路,它們的低值可降低功率損耗。對(duì)于這些應(yīng)用,大約 10%-20% 的容差就足夠了。...
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用
雙脈沖測(cè)試就是給被測(cè)器件兩個(gè)脈沖作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào),如圖1所示。第一個(gè)脈沖相對(duì)較寬,以獲得一定的電流。
國(guó)產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競(jìng)品分析
工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開(kāi)發(fā)的接近頂峰,S...
思睿達(dá)CR6889B方案能否替換XX11?測(cè)試數(shù)據(jù)分析
我們將為大家?guī)?lái)思睿達(dá)主推的CR6889B替換XX11對(duì)比 測(cè)試 報(bào)告。話不多說(shuō),我們先了解下思睿達(dá)CR6889B的大概內(nèi)容吧! CR6889B芯片特性...
思睿達(dá)主推EMI特性良好的CR6889B與XX8267是否可相互替換?對(duì)比測(cè)試報(bào)告
SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開(kāi)關(guān); ● 內(nèi)置軟啟動(dòng),減小MOSFET 的應(yīng)力,斜坡補(bǔ)償電路; ● 65kHz 開(kāi)關(guān)頻率,具有頻...
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似,只是SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度更快,對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。
恒壓恒流輸出的電源適配器樣機(jī)測(cè)試 思睿達(dá)TT5565SG+TT3006方案
01、樣機(jī)介紹 該 測(cè)試 報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)的TT5565SG...
2021-08-24 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源管理 9377 0
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
電池供電的便攜設(shè)備越來(lái)越多,在今日生活中扮演的角色也越來(lái)越重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量?jī)?chǔ)存技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級(jí)電容器。
2021-07-04 標(biāo)簽:電容器MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 2743 0
邊緣周圍的接觸墊有助于檢查并實(shí)現(xiàn)輕松布線,甚至允許使用兩層基板,包括基板。特殊的接地平面布局意味著模塊在回流期間可以有效地“浮動(dòng)”到位
在該電路中,MN1 連接在充電器/負(fù)載和電池端子之間連接的低側(cè)。
IGBT是—種場(chǎng)控器件,它的開(kāi)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定,當(dāng)柵射電壓UCE為正且大于開(kāi)啟電壓UCE(th)時(shí),MOSFET內(nèi)形成溝道并為PN...
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計(jì)過(guò)程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開(kāi)始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 2987 0
ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析
本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以...
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4597 0
有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法(二)
本文將繼上一篇文章之后,繼續(xù)介紹有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法。在上一篇中,介紹了有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的典型驅(qū)動(dòng)方法——恒壓驅(qū)動(dòng),本文將介紹有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的另一...
2021-06-12 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器PWM 2735 0
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