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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓和低待機(jī)電流離線輔助PSU電源裝置
如今,對(duì)能源效率的需求影響著自動(dòng)化的所有領(lǐng)域。這包括各種白家電,它們是在家庭自動(dòng)化概念與如今完全不同的時(shí)代構(gòu)想出來的。幾十年前,當(dāng)我們開始依賴這些設(shè)備時(shí)...
DC/DC開關(guān)穩(wěn)壓控制器LTC3775的主要特性及功能分析
Linear 推出的低的最小接通時(shí)間、寬輸入電壓范圍、同步降壓型 DC/DC 開關(guān)穩(wěn)壓控制器 LTC3775,該器件驅(qū)動(dòng)所有 N 溝道功率 MOSFET...
2020-11-24 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器控制器 1103 0
功率放大器在現(xiàn)實(shí)中具備諸多適用,如A類功率放大器等。在往期文章中,小編對(duì)功率放大器的技術(shù)指標(biāo)、功率放大器的工作原理、功率放大器的定義等知識(shí)有所介紹。為增...
實(shí)現(xiàn)具有更高擊穿電壓和更低待機(jī)電流的離線輔助PSU電源裝置
隨著半導(dǎo)體制造工藝向更高集成度和更穩(wěn)健方向發(fā)展,這一總趨勢(shì)使得器件制造商能夠開發(fā)出單芯片解決方案來實(shí)現(xiàn)離線功率轉(zhuǎn)換。
2020-11-19 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 1348 0
同步升壓型開關(guān)DC/DC控制器LTC3788/-1的性能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出的雙輸出、大功率同步升壓型開關(guān) DC/DC 控制器 LTC3788/-...
2021-02-25 標(biāo)簽:放大器mosfet驅(qū)動(dòng)器 2113 0
高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4449的性能特點(diǎn)及適用范圍
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出的高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)...
2020-11-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet驅(qū)動(dòng)器 3341 0
LT3845的高可靠性升級(jí)版的性能特性及功能作用分析
Linear Technology Corporation) 推出的LT3845的高可靠性 (MP) 級(jí)新版本,該器件具 4V 至 60V 輸入電壓范圍...
2020-11-13 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器控制器 1943 0
使用MOSFET和額外的肖特基二極管的電路設(shè)計(jì)可最大限度地減少干擾
在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關(guān)的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關(guān)的架構(gòu)相...
2020-11-09 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 4386 1
開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)知識(shí)之輸出預(yù)偏置保護(hù)
DC/DC轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)時(shí)的Vout電壓基本上假設(shè)為零伏,但實(shí)際上由于電路構(gòu)成和短時(shí)間內(nèi)的重新啟動(dòng)等因素影響,啟動(dòng)前Vout可能存在電壓,也就是說可能并非為零。
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC轉(zhuǎn)換器 2801 0
高度集成的開關(guān)穩(wěn)壓器單片式解決方案解析
開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu),也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中,各功率開關(guān)(一般是MOSFET)會(huì)集成在單個(gè)硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時(shí),除了控制...
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 2996 0
基于LCC拓?fù)涞陌霕騆CC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源
作者:Akshat JAIN, Fabrizio DI FRANCO 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子...
2021-03-10 標(biāo)簽:變壓器MOSFET并聯(lián)電容器 9966 0
Nexperia均流技術(shù)的并行MOSFET設(shè)計(jì)應(yīng)用
多年來,功率MOSFET一直是高功率應(yīng)用的支柱,能夠可靠地提供大電流。然而,隨著功率應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步,需要極高水平的電流。這些應(yīng)用已達(dá)到功率水平要求,而一...
使用H橋電路來驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方案介紹
在該有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器電路示例中,可以通過線性控制高邊Pch MOSFET來更改OUT引腳的H電壓,從而控制施加到電機(jī)的電壓。
2021-03-11 標(biāo)簽:反饋電路MOSFET運(yùn)算放大器 4607 0
作者:Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是,如果使...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3140 0
新型三相逆變器如何進(jìn)行SiC MOSFET的結(jié)溫估算?
與功率MOSFET相比,功率MOSFET中的SiC具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的電導(dǎo)率,更低的開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗[1] [2]-[6]。
2021-03-12 標(biāo)簽:MOSFET熱敏電阻功率轉(zhuǎn)換器 8249 0
根據(jù)柵極電壓,觀察負(fù)載R1上流過的電流,看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對(duì)圖如圖3所示。對(duì)于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓,該組件均保持...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 2630 0
如何應(yīng)對(duì)輸入端負(fù)壓 驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因
由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,在硬開關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
2021-03-15 標(biāo)簽:pcbMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.2萬 1
如何使用ASIC實(shí)現(xiàn)在家用電器中應(yīng)用功能安全性
如果我們首先看一下電池管理器的元件,則需要高精度的電壓感應(yīng)來確定鋰離子電池的充電狀態(tài)和溫度。
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋電路:輸出狀態(tài)的切換
本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋的實(shí)際控制(切換)。 H橋電路:輸出狀態(tài)的切換 在上一篇文章中我提到過在向電機(jī)的兩個(gè)端子施加電壓時(shí)有四種連接方式: ①兩...
2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī) 4177 0
SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...
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