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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于FPS的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記介紹了使用飛兆半導(dǎo)體電源開關(guān)(FPS)的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計(jì)程序和指南。使用包含本文中使用的所有方程式的FPSdesign輔助軟件,可以...
2021-05-21 標(biāo)簽:變壓器MOSFET反激式轉(zhuǎn)換器 4047 0
基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機(jī)是全球耗電大戶,盡管電壓很高,硅仍然是主流。不過,GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守,適應(yīng)新技術(shù)的速度很...
關(guān)于MOSFET漏極驅(qū)動(dòng)的ZCD(零電流檢測(cè))引腳
本應(yīng)用筆記介紹了從MOSFET漏極驅(qū)動(dòng)的ZCD(零電流檢測(cè))引腳。該文檔描述了標(biāo)準(zhǔn)的ZCD配置及其替代和電阻器配置。 CS1601采用ZCD(零電流檢測(cè)...
什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)
除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
一文解析功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝設(shè)計(jì)LITTLEFOOT?功率MOSFET的過程。它描述了功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載,公共柵極驅(qū)動(dòng)器以及磁盤驅(qū)動(dòng)器...
2021-05-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器永磁無刷電動(dòng)機(jī) 6688 0
淺談汽車級(jí)光伏驅(qū)動(dòng)器和分立MOSFET
工程師已經(jīng)研究和開發(fā)了可以代替機(jī)械繼電器的固態(tài)繼電器設(shè)備。與機(jī)械繼電器相比,這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性,更快的切換時(shí)間,沒有切換彈跳以及更小的尺寸。...
2021-05-25 標(biāo)簽:繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2137 0
柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能,這通常需要權(quán)衡取舍。
IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性,例如溫度,能量,機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡(jiǎn)要介紹...
淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動(dòng)器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGB...
2021-05-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 3712 0
在系統(tǒng)中采用低端驅(qū)動(dòng)器的常見應(yīng)用介紹
NPN/ PNP圖騰柱具有由PWM輸出驅(qū)動(dòng)的同相配置。該電路可防止雙極性階段的直通,因?yàn)橐淮沃挥幸粋€(gè)圖騰柱器件可以正向偏置。
線性功率MOSFETS的輸出特性和應(yīng)用設(shè)計(jì)
電子負(fù)載,線性穩(wěn)壓器或A類放大器等應(yīng)用程序在功率MOSFET的線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,這需要高功耗能力和擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)特性。這種工作模式...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器漏極電壓 4467 0
電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開的開關(guān)。...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器電源系統(tǒng) 9383 0
非隔離式LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)方案介紹
變壓器的匝數(shù)比為18:6:1。初級(jí)電感為800μH,額定電流為750mA(峰值),占空比始終小于50%。
影響線性模式下溝槽MOSFET器件熱不穩(wěn)定性條件的因素分析
多年來,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已取得了令人矚目的成果。當(dāng)今的設(shè)備具有顯著改善的性能,特別是在降低漏源導(dǎo)通狀態(tài)電阻,降低柵極電荷和提高開關(guān)速度方面。整個(gè)系統(tǒng)的低...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體技術(shù) 4661 0
無線能量傳輸中eGaN? FET高效率設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方案
ZVS D 類和 E 類放大器都將在 6.78 MHz 下按照 A4WP 3 類標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試,并降低阻抗范圍以確定固有的工作范圍限制。
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確??深A(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 5100 0
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4661 0
淺談金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
通過將柵極放置在絕緣氧化層上來控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場(chǎng)的結(jié)果,溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6047 0
功率 MOSFET類別 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET結(jié)構(gòu)
N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開關(guān)電路,因?yàn)榕c P 溝道器件相比,它的導(dǎo)通電阻低。
2021-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET雙極晶體管 4978 0
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