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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)MC34063擴(kuò)流降壓電路圖
電路中使用了內(nèi)阻10Ω的小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng),后級(jí)功率管總能處在較佳工作狀態(tài),只要有適當(dāng)?shù)拇蠊β蔒OSFET和電感,再增大輸出電流是很容易的事。
2020-08-28 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.0萬(wàn) 0
同步降壓型DC/DC穩(wěn)壓器ADP2384/86的主要特性及應(yīng)用
ADI公司的ADP2384/ADP2386是兩款4mm×4mm LFCSP封裝的高效、同步降壓DC/DC穩(wěn)壓器,內(nèi)部集成一個(gè)44mΩ的高邊檢測(cè)功率MOS...
采用基于MOSFET架構(gòu)實(shí)現(xiàn)壓電致動(dòng)器的設(shè)計(jì)
高速壓電致動(dòng)器的生產(chǎn)成本在過(guò)去15年以來(lái)越來(lái)越價(jià)廉,因此越來(lái)越多的應(yīng)用設(shè)計(jì)傾向于采用高速壓電致動(dòng)器。壓電致動(dòng)器最初用于醫(yī)療設(shè)備,包括上世紀(jì)80年代末的手...
2020-08-22 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器運(yùn)算放大器 1261 0
電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng)U6201電源開關(guān)芯片介紹
隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快,人們?cè)絹?lái)越重視身心健康。工作一天之后,而用按摩椅進(jìn)行保健,令你血液循環(huán)通暢,改善腰酸背痛及預(yù)防病癥,還能提...
2020-08-19 標(biāo)簽:開關(guān)MOSFET開關(guān)電源 5369 0
大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器PA85的性能特點(diǎn)和典型應(yīng)用分析
PA85是Apex公司生產(chǎn)的高電壓、大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器,它在安全操作區(qū)(SOA)沒(méi)有二次擊穿的限制,通過(guò)選擇合適的限流電阻可在任何負(fù)載下選...
2020-08-19 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體運(yùn)算放大器 7735 0
安森美半導(dǎo)體門極驅(qū)動(dòng)器方案的快速評(píng)估和測(cè)試解決方案
這些板設(shè)計(jì)為直接插入基板或易于替換為現(xiàn)有的應(yīng)用板。圖3顯示了幾種架構(gòu),其中迷你驅(qū)動(dòng)器板已連接以驅(qū)動(dòng)采用TO-247封裝的開關(guān)。
在當(dāng)前的電子系統(tǒng)中,負(fù)電源正在消失,正電源電壓也在逐漸降低。這種趨勢(shì)使得軌到軌放大器日益流行。盡管電源電壓在不斷地改變,但信號(hào)電平通常保持不變。例如,標(biāo)...
20世紀(jì)70年代出現(xiàn)了世界性的能源危機(jī),電力電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效能變換和控制,其發(fā)展為節(jié)約能源做出了巨大貢獻(xiàn)。在電能傳輸與轉(zhuǎn)換(包括綠色電源產(chǎn)品)中...
2020-08-14 標(biāo)簽:集成電路mosfet開關(guān)電源 5487 0
采用MOSFET器件實(shí)現(xiàn)模擬平方根計(jì)算裝置的設(shè)計(jì)
在儀表和測(cè)量系統(tǒng)中廣泛使用了平方根計(jì)算電路,例如:用于計(jì)算任意波形rms (均方根)等任務(wù)。因此,設(shè)計(jì)師需要有一種高效的模擬平方根計(jì)算裝置。由于制造商常...
SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。
新一代SiC MOSFET設(shè)計(jì)功率變換器在雪崩狀態(tài)的魯棒性評(píng)估
本文探討了在SiC MOSFET應(yīng)用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件。
轉(zhuǎn)換器外圍器件的爭(zhēng)取選擇和布局方案分析
去數(shù)十年來(lái),電子產(chǎn)品的發(fā)展可謂一日千里。以個(gè)人通信設(shè)備為例,由最初的奢侈品到現(xiàn)在的廣泛普及,電子產(chǎn)品無(wú)論從重量、體積還是效率,都有了翻天覆地的變化。但是...
2020-08-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet封裝 757 0
微控制器PWM外設(shè)及其目標(biāo)負(fù)載的同步與防止相位延遲方案
大多數(shù)微控制器至少有一個(gè)脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 外設(shè),以方波形式生成多個(gè)波形。這些 PWM 輸出可用于驅(qū)動(dòng)同步負(fù)載,例如機(jī)械系統(tǒng)中的步進(jìn)電機(jī)和電源轉(zhuǎn)換...
部分耗盡SOI器件新體接觸技術(shù)可有效克服MOSFET中的浮體效應(yīng)
SOI技術(shù)帶來(lái)器件和電路性能提高的同時(shí)也不可避免地帶來(lái)了不利的影響,其中最大的問(wèn)題在于部分耗盡SOI器件的浮體效應(yīng)。當(dāng)器件頂層Si膜的厚度大于最大耗盡層...
基于ADC進(jìn)行數(shù)字控制的低噪聲APD偏置電路實(shí)現(xiàn)案例
雪崩光電二極管(APD)被作為接收器探頭用于光通信中。APD的高靈敏度和高帶寬受到了設(shè)計(jì)者的廣泛認(rèn)可。
2020-08-08 標(biāo)簽:MOSFET接收器升壓轉(zhuǎn)換器 4263 0
在高級(jí)開關(guān)電源設(shè)備中采用絕緣柵雙極型晶體管降低成本
隨著國(guó)際汽油價(jià)格的不斷攀升,運(yùn)輸成本和所有其他能源生產(chǎn)成本也隨著石油價(jià)格的上漲而不斷增大。同時(shí),人們對(duì)電力的需求也達(dá)到了一個(gè)前所未有的高度。同樣糟糕的是...
2020-07-31 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源晶體管 1122 0
Si整流器與SiC二極管的性能特點(diǎn)及應(yīng)用比較
肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特性更像一個(gè)理想的開關(guān)。肖特基二極管最重要的兩個(gè)性能指標(biāo)就是它的低反向恢復(fù)電荷(QRR)和它的恢復(fù)軟化系數(shù)。
高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器FAN3XXX系列產(chǎn)品的特點(diǎn)與典型應(yīng)用電路分析
FAN3XXX系列是飛兆公司(FAIRCHILD)2007年10月推出的新產(chǎn)品,是一種高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列。該系列各種驅(qū)動(dòng)器與PWM控制器及功...
2020-07-26 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器功率 2903 0
采用兩只MOSFET進(jìn)行串聯(lián)替代普通繼電器實(shí)現(xiàn)應(yīng)用
普通的機(jī)電式繼電器具有低成本和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),經(jīng)常用于大負(fù)載電流的通斷切換,以及不需要按比例控制負(fù)載電流或電壓的情況。低成本和低導(dǎo)通電阻是它們?cè)诠I(yè)中...
驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中,原本2,742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ,損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
2020-07-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻 1388 0
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