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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線,另一是在Si襯底上制作平面...
增強型和耗盡型MOS場效應(yīng)管的詳細資料和計算方式說明
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增...
2019-07-06 標簽:二極管MOSFET場效應(yīng)管 3.0萬 0
常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動技術(shù)解析
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之...
如何消除靜電釋放(ESD)對電子設(shè)備的干擾和破壞?
在PCB板的設(shè)計當中,可以通過分層、恰當?shù)牟季植季€和安裝實現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計。在設(shè)計過程中,通過預(yù)測可以將絕大多數(shù)設(shè)計修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整...
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計關(guān)鍵因素
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點,當然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
MOSFET理解與應(yīng)用 如何提高放大器的Robust
哪些因素會影響MOSFET放大器的Robust增加一個電阻,提高Robust增加一個電容。
電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達100mS,甚至更高。
2019-06-18 標簽:MOSFETMOS管絕緣柵場效應(yīng) 5.4萬 0
在LLC拓撲中,選擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么
在當前全球能源危機的形式下,提高電子設(shè)備的能效,取得高性能同時降低能耗,成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點。為順應(yīng)這一趨勢,世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標...
電流驅(qū)動電流檢測電路詳解,如何使用分流電壓作為輸入電壓,
運放必須是軌對軌輸入,或有一個包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運算放大器可實現(xiàn)最小偏移量。但請記住,即使使用零漂移軌對軌運放,在較高的共模范圍內(nèi)運行通...
詳細分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解
MOSFET從完全關(guān)斷到完全導(dǎo)通經(jīng)過哪幾個階段,在此過程中MOSFET為什么會發(fā)熱。
CRSS也就是反向傳輸電容。這個電容在MOS管的開通和關(guān)的過程中,它的作用是十分重要的。
MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析 驅(qū)動設(shè)計驗證方案
什么叫MOSFET,作為電子硬件設(shè)計中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性?MOSFET體二極管的作用?
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