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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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電流驅(qū)動(dòng)電流檢測(cè)電路詳解,如何使用分流電壓作為輸入電壓,
運(yùn)放必須是軌對(duì)軌輸入,或有一個(gè)包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運(yùn)算放大器可實(shí)現(xiàn)最小偏移量。但請(qǐng)記住,即使使用零漂移軌對(duì)軌運(yùn)放,在較高的共模范圍內(nèi)運(yùn)行通...
2019-05-09 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電壓 8975 0
前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的自舉電容
一個(gè)電源正端的一個(gè)電源,那么我們說(shuō)這里應(yīng)該用P管,對(duì)吧?那么如果呢這個(gè)管子放在D端,它的下面直接通D的話(huà),那么這個(gè)時(shí)候我們說(shuō)應(yīng)該用N管。那么這樣子的話(huà),...
2019-04-17 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 7897 0
詳細(xì)分析MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)及參數(shù)特性的講解
MOSFET從完全關(guān)斷到完全導(dǎo)通經(jīng)過(guò)哪幾個(gè)階段,在此過(guò)程中MOSFET為什么會(huì)發(fā)熱。
電容在MOS管開(kāi)關(guān)中CRSS的作用分析
CRSS也就是反向傳輸電容。這個(gè)電容在MOS管的開(kāi)通和關(guān)的過(guò)程中,它的作用是十分重要的。
MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)驗(yàn)證方案
什么叫MOSFET,作為電子硬件設(shè)計(jì)中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性?MOSFET體二極管的作用?
我們?cè)O(shè)計(jì)的這個(gè)Buck方案中對(duì)事件的最小開(kāi)關(guān)時(shí)間是有要求的,這是第一點(diǎn),第二點(diǎn)就是開(kāi)關(guān)電源的頻率是有要求的,雖然可以稍低一點(diǎn),但是電感要大,開(kāi)關(guān)頻率低了...
UC3842數(shù)據(jù)手冊(cè)及UC3842內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
UC3842是驅(qū)動(dòng)MOSFET的一個(gè)理想器件,功能之前我們已經(jīng)說(shuō)到了,那么還有什么其它的保護(hù)特性呢?
關(guān)于mosfet前驅(qū)電路搭建的視頻教學(xué)
我們之前說(shuō)到MOSFET前級(jí)電路是一個(gè)高壓電路,220V整流之后變成的一個(gè)310V的電壓。對(duì)于這樣的電來(lái)說(shuō),原本OFF的狀態(tài)下,電壓應(yīng)該是310V,MO...
上節(jié)課我們講了MOSFET的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路,同時(shí)也說(shuō)到了這個(gè)芯片在第一次初始上電的時(shí)候,是如何進(jìn)行啟動(dòng)的。
隔離式反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中計(jì)算變壓器的參數(shù)設(shè)置
MOSFET選型,吸收電路器件選型,輸出二極管選型,輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。
2019-05-06 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電壓 6916 0
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點(diǎn)分析(視頻分析)
設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點(diǎn)都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.1萬(wàn) 0
氣味傳感器的實(shí)戰(zhàn)設(shè)計(jì)應(yīng)用
把學(xué)到的運(yùn)放的知識(shí)用來(lái)在實(shí)際原理圖的設(shè)計(jì)中進(jìn)行運(yùn)用。對(duì)于運(yùn)放來(lái)講,用哪種的輸入形態(tài)是根據(jù)我們的實(shí)際項(xiàng)目的需要所進(jìn)行的。
空氣凈化器系統(tǒng)之MOSFET的電路設(shè)計(jì)
什么叫MOSFET,作為電子硬件設(shè)計(jì)中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性?MOSFET體二極管的作用?4、 N型MOSFET和N型三極管作為開(kāi)關(guān)管用...
PCB設(shè)計(jì)中如何提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能
為驅(qū)動(dòng)快速開(kāi)關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET,必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響,以及為使用超級(jí)結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-60...
2019-05-13 標(biāo)簽:mosfetpcb設(shè)計(jì) 1589 0
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5888 0
對(duì)于一個(gè)MOS管,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的時(shí)間越短,那么MOS管開(kāi)啟的速度就會(huì)越快。與此類(lèi)似,如果把MOS管的GS電壓從開(kāi)啟電壓...
2019-03-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片電壓驅(qū)動(dòng) 8677 0
功率MOSFET的技術(shù)和市場(chǎng)及發(fā)展等資料的詳細(xì)分析
根據(jù)IHS及Gartner的相關(guān)統(tǒng)計(jì),功率MOSFET占據(jù)約40%的全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模??梢园l(fā)現(xiàn),功率MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)、全控式和單極型特性決定了...
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