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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LLC諧振轉(zhuǎn)換器中怎樣做才不會出現(xiàn)MOSFET故障
初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障,如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通電流、體二極管 dv/dt、擊穿 dv/dt...
2018-03-19 標(biāo)簽:mosfetLLCllc諧振轉(zhuǎn)換器 8442 0
反激式轉(zhuǎn)換器工作原理以及反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流波形轉(zhuǎn)折點的分析
反激式轉(zhuǎn)換器在正常工作情況下,當(dāng)MOSFET關(guān)斷時,初級電流(id)在短時間內(nèi)為 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充電,當(dāng)Coss兩端的電壓V...
2018-01-31 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 2.6萬 0
對MOSFET與IGBT詳細(xì)的區(qū)別分析以及舉例說明
本文將對一些參數(shù)進行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)...
反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流精細(xì)剖析
大家都知道這個尖峰是開關(guān)MOS開通的時候出現(xiàn)的,根據(jù)反激回路,Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過MOS再到Vbus形成回路。
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡介以及其特點和優(yōu)勢分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)...
為減少開關(guān)管損耗的BSCO16NO3LSG型開關(guān)電源MOSFET
近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設(shè)計中采用開關(guān)電源控制器、加上多個驅(qū)動器及功率 MOS...
要實現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
高壓電源新型預(yù)穩(wěn)壓器設(shè)計方案推薦
討論幾種設(shè)計故障容受型電源的方法,其中包括新的預(yù)穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)可簡化電路設(shè)計及元件選擇。 對抗相位故障 如果交流電源到電表之間出現(xiàn)錯誤連接故障,...
MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的...
采用自舉升壓電路,設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路
結(jié)論 本文采用自舉升壓電路,設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計,可在1.5V...
幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計
幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計。繼電器不允許并聯(lián)一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開關(guān)類管子(IGBT、三極管、MOSFET等)不用于串聯(lián)結(jié)構(gòu)以解決單只...
MOSFET柵極應(yīng)用電路作用與驅(qū)動電路解析
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點,因...
大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;...
2017-12-24 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源emi 2.0萬 0
下面是對場效應(yīng)管的測量方法場效應(yīng)管英文縮寫為FET??煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡稱為MOS管。而MOS管...
2017-12-21 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管jfet 1.3萬 0
深度解析MOSFET結(jié)構(gòu)原理和特點以及其驅(qū)動電路
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transisto...
基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的設(shè)計與實現(xiàn)
由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制,為此提出一種由MOSFET控制,并且由高頻變壓器隔離的開關(guān)電源設(shè)計方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強...
用UC3842芯片做醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實驗通過光耦實現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
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