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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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為了最大限度地降低功耗,一個(gè)簡(jiǎn)單的MOSFET通常用于為未使用的電路提供電源。 然而,更好的選擇是使用負(fù)載開關(guān),因?yàn)樗哂蓄~外的功能來處理電源軌管理的許...
2018-03-16 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)低功耗 1.2萬 0
由于繼電器的振動(dòng),MOSFET也可以在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞
當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),開關(guān)的開啟會(huì)導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機(jī)械開關(guān)的短暫時(shí)間,高的dvdt會(huì)激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量...
汽車工業(yè)領(lǐng)域定義并構(gòu)建基于48V電池系統(tǒng)
汽車工業(yè)的電氣化以不斷增長(zhǎng)的速度發(fā)展,主要受政府頒布關(guān)于二氧化碳(CO2)減排標(biāo)準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)。歐盟制定了到2020年新車排放量?jī)H有95g/km的目標(biāo)。中國等...
2018-03-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLM5170 8.6k 0
48V-12V雙電池電源系統(tǒng)正普通用于輕度混合動(dòng)力電動(dòng)車。車輛的動(dòng)態(tài)工作條件可能需要在兩個(gè)電池軌道之間來回傳送高達(dá)10kW的電功率。由于移動(dòng)車輛中的各種...
2018-03-12 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制脈沖寬度調(diào)制 1.1萬 1
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg...
2018-03-10 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源控制電路 1.4萬 0
“立碑”現(xiàn)象常發(fā)生在CHIP元件(如貼片電容和貼片電阻)的回流焊接過程中,元件體積越小越容易發(fā)生。特別是1005或更小釣0603貼片元件生產(chǎn)中,很難消除...
P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用
MOSFET多數(shù)是載流子器件, N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒有直...
2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 2.3萬 0
通用串行總線即USB已經(jīng)流行許久; 起初USB設(shè)備便具有主設(shè)備和從設(shè)備之分:傳輸?shù)臄?shù)據(jù)來自主設(shè)備如電腦,數(shù)據(jù)傳輸至從設(shè)備如手機(jī)、鼠標(biāo)或鍵盤。但隨著消費(fèi)電...
2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET便攜式設(shè)備TPS61230A 1.9萬 0
設(shè)計(jì)一款由12V鉛酸電池,直接供電的12V汽車音響系統(tǒng)
汽車系統(tǒng)需要承受高溫差、極端輸入瞬變和其它多種干擾的影響。汽車中幾乎所有的電子產(chǎn)品都需經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試,以符合汽車電子委員會(huì)(AEC)規(guī)定的質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)和...
2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子升壓轉(zhuǎn)換器 1.2萬 0
依靠驅(qū)動(dòng)錯(cuò)誤產(chǎn)生原理,對(duì)驅(qū)動(dòng)等效電路進(jìn)行分析
DRV8711是一款有微步功能的步進(jìn)電機(jī)控制器,芯片內(nèi)部集成了微步分度器,通過配置最高可以支持1/256微步,極大的降低了MCU端的設(shè)計(jì)難度。為了降低電...
提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)的性能,不可忽視電源管理
不同的損耗導(dǎo)致頂側(cè)和底側(cè)MOSFET的加熱不同。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中使用分立MOSFET時(shí),可以嘗試這些不同的方法來平衡頂側(cè)和底側(cè)FET之間的溫度。
2018-03-02 標(biāo)簽:MOSFET電源管理CSD88584Q5DC 1.3萬 0
MOSFET選型經(jīng)驗(yàn)分享:經(jīng)典案例教你10步法
似乎選取功率MOSFET的耐壓對(duì)于很多工程師來說是最容易的一件事情,因?yàn)樵O(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對(duì)固定的,公司選取特定的供應(yīng)商的一些料號(hào),產(chǎn)品額定電壓...
2018-02-10 標(biāo)簽:mosfet 2.5萬 1
LLC諧振轉(zhuǎn)換器中怎樣做才不會(huì)出現(xiàn)MOSFET故障
初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障,如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通電流、體二極管 dv/dt、擊穿 dv/dt...
2018-03-19 標(biāo)簽:mosfetLLCllc諧振轉(zhuǎn)換器 8.6k 0
反激式轉(zhuǎn)換器工作原理以及反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流波形轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析
反激式轉(zhuǎn)換器在正常工作情況下,當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),初級(jí)電流(id)在短時(shí)間內(nèi)為 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充電,當(dāng)Coss兩端的電壓V...
2018-01-31 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 2.7萬 0
對(duì)MOSFET與IGBT詳細(xì)的區(qū)別分析以及舉例說明
本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗,并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)...
反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流精細(xì)剖析
大家都知道這個(gè)尖峰是開關(guān)MOS開通的時(shí)候出現(xiàn)的,根據(jù)反激回路,Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過MOS再到Vbus形成回路。
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡(jiǎn)介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)...
為減少開關(guān)管損耗的BSCO16NO3LSG型開關(guān)電源MOSFET
近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設(shè)計(jì)中采用開關(guān)電源控制器、加上多個(gè)驅(qū)動(dòng)器及功率 MOS...
要實(shí)現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
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