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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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簡(jiǎn)化同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
針對(duì)工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器具有獨(dú)特的電源解決方案要求。在證明其易用性、高效率、小巧尺寸和較低的總體物料清單成本后,4開(kāi)關(guān)同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器...
2015-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器輸出電壓 3.1k 0
本篇文章以實(shí)例為基準(zhǔn),分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問(wèn)題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC384...
打開(kāi)這一年來(lái)半導(dǎo)體最熱門(mén)的新聞,大概就屬FinFET了,例如:iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管(FinFET)...
隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾,開(kāi)關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓,LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ),各取所長(zhǎng)才...
本文介紹并討論分析一下作者在研制開(kāi)關(guān)電源中使用的幾種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可行的MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路。##隔離的驅(qū)動(dòng)電路。
2015-04-01 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 5.5萬(wàn) 1
CE系列高壓MOSFET:專(zhuān)為消費(fèi)類(lèi)電子和照明而生
英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專(zhuān)為消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來(lái)...
關(guān)于防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)的討論
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣?,這樣電路就永遠(yuǎn)有正確的極性。
高效高可靠性L(fǎng)ED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享
近日,小編采訪(fǎng)了LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey,他總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問(wèn)題和親身設(shè)計(jì)心得、
2014-10-23 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng) 3.3k 1
開(kāi)關(guān)電源電路開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)秘籍大全
歡迎來(lái)到電源設(shè)計(jì)小秘笈! 隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、 更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),本文就各種電源管理課題提出一些對(duì)您有幫助的小技巧。無(wú)論您是從事電源業(yè)務(wù)多年...
2014-09-23 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.0萬(wàn) 0
基于功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn),因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車(chē)。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高,鉛酸電池...
專(zhuān)家分享:高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得
要普及LED燈具,不但需要大幅度降低成本,更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題,PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Doug...
2014-05-12 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng)功率器件 2k 0
基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案
介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。該電路設(shè)計(jì)方案具有抗干擾能力強(qiáng)、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證了該方案的正確...
如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能
基于最近的趨勢(shì),提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo),為了獲得更好的EMI而采用慢開(kāi)關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面...
導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減
更高系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的,半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體...
2014-03-25 標(biāo)簽:MOSFET快捷半導(dǎo)體柵極屏蔽 4.7k 0
SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員:FinFET對(duì)你來(lái)說(shuō)意味著什么?
大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 (FDSOI...
三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問(wèn)題設(shè)計(jì)方案
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問(wèn)題,因?yàn)樗矐B(tài)過(guò)程很難捕捉。本文以半橋變換器為例,就這個(gè)問(wèn)題進(jìn)行討論并給出相應(yīng)方案。
飛兆半導(dǎo)體的汽車(chē)級(jí)高速、低邊驅(qū)動(dòng)器系列 可提高效率、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
使用功率MOSFET的汽車(chē)應(yīng)用要求柵極驅(qū)動(dòng)器具備高峰值驅(qū)動(dòng)電流和低輸出阻抗。來(lái)自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系...
2013-08-20 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0
本文從MOSFET的工作原理入手,詳細(xì)介紹MOSFET的應(yīng)用以及其他注意事項(xiàng),希望能夠提高大家對(duì)MOSFET的認(rèn)識(shí)。詳細(xì)介紹請(qǐng)看原文:MOSFET的原意...
2013-07-31 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.8萬(wàn) 2
移動(dòng)箱:在高電流實(shí)驗(yàn)室表征裝置方面的制造及應(yīng)用
PROFET?是一種典型的帶增強(qiáng)功能(如圖1所示)的MOSFET,增強(qiáng)的功能可提升其在高端驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中的性能。PROFET?設(shè)備通常涉及到高電流測(cè)試參數(shù)...
2013-06-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器示波器 1.8k 0
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