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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)...
什么是同步整流器?開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電...
20世紀(jì)70年代出現(xiàn)了世界性的能源危機(jī),電力電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效能變換和控制,其發(fā)展為節(jié)約能源做出了巨大貢獻(xiàn)。在電能傳輸與轉(zhuǎn)換(包括綠色電源產(chǎn)品)中...
2020-08-14 標(biāo)簽:集成電路mosfet開關(guān)電源 5487 0
MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析
MOSFET,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下)
比鄰驅(qū)動(dòng)?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 5470 0
MOSFET的結(jié)構(gòu)和重點(diǎn)參數(shù)介紹及應(yīng)用前景如何?
最近,國(guó)內(nèi)對(duì)MOSFET的需求大漲,導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨,很多廠商有錢買不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長(zhǎng)源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端...
2018-09-15 標(biāo)簽:CMOSMOSFET物聯(lián)網(wǎng) 5469 0
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
IGBT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和...
隨著汽車電子系統(tǒng)中電流水平的持續(xù)增加,由于存在高功耗和散熱問題,設(shè)計(jì)師因而不再能使用傳統(tǒng)的隔離肖特基二極管。LT8672 是一款具反向電流保護(hù)功能的有源...
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管,屬于雙極型晶體管(Bipolarjunction Transistor)。此外,晶體管還有另外一...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 5441 0
基于MOSFET搭建簡(jiǎn)易的電平轉(zhuǎn)換電路
在電子產(chǎn)品中,不同芯片的供電電壓不同,導(dǎo)致某些芯片之間的通信信號(hào)電平不同,無法直接相互連接。例如高通8155的IO是1.8V電壓域,而瑞薩RH850的I...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):超結(jié)結(jié)構(gòu)
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但...
半導(dǎo)體世界可能會(huì)有一個(gè)新的參與者,它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。
2018-11-20 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 5413 0
這種類型的放大器只有一部分信號(hào)周期內(nèi)的輸出晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),通常用于需要高效率但可以容忍較高失真的應(yīng)用,例如射頻傳輸。
MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/分類/應(yīng)用
MOS管是一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。它是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)中各種電路...
異步電路與同步電路的區(qū)別,異步和同步拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
如果高M(jìn)OSFET與低MOSFET同步,我們可以在一些應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)它們被稱為直接開關(guān)管,即高端和低側(cè)MOSFET。
開關(guān)模式電源電流檢測(cè):電流檢測(cè)方法
開關(guān)模式電源常用的三種電流檢測(cè)方法是:使用檢測(cè)電阻,使用 MOSFET RDS(ON)并使用電感器的直流電阻 (DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),在選擇...
MOSFET箝位電路的工作原理及應(yīng)用設(shè)計(jì)
輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出跟蹤,因此受到設(shè)計(jì)師們的青睞,且已成為元件...
電氣接口的離散輸出H橋驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)資料概述
h橋驅(qū)動(dòng)。除了表B61中給出的h橋驅(qū)動(dòng)器的規(guī)范之外,還必須指定表B62中的參數(shù)。
2018-07-01 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)元件H橋驅(qū)動(dòng) 5393 0
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
2024-04-25 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源控制電路 5377 0
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