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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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飛虹半導(dǎo)體MOS管在無刷電機(jī)控制器的應(yīng)用
據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)了解:2024年,全球BLDC控制器市場規(guī)模達(dá)到28.7億美元,并預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到45.5億美元,年復(fù)合增長率為8.0%。面對這一相對高...
小小MOSFET,大有乾坤。在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET作為核心元件扮演著至關(guān)重要的角色,支撐從數(shù)據(jù)中心到通訊基站等各種開關(guān)電源應(yīng)用。雖然其應(yīng)用廣泛且...
2025-02-15 標(biāo)簽:MOSFET東芝開關(guān)電源 616 0
基于國產(chǎn)PWM控制器和SiC MOSFET的反激輔助電源設(shè)計(jì)
傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓FP6298,最高輸出5-9V/9-11W,輸入限流可調(diào)
概述FP6298是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它是內(nèi)置PWM電路0.08Ω功率MOSFET,使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組...
2025-02-14 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOSFET 542 0
在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車規(guī)級 PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品,以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...
碳化硅MOSFET在家庭儲能(雙向逆變,中大充)的應(yīng)用優(yōu)勢
傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對比,并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M0...
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家...
2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體功率器件 823 0
碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能,在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,SiCMOSFET在研...
2025-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 1454 0
最大開關(guān)頻率是柵極驅(qū)動芯片的重要性能指標(biāo),其表現(xiàn)會受到驅(qū)動芯片的封裝、負(fù)載條件、散熱等多方面因素的制約。此外,如果半橋驅(qū)動集成了自舉二極管,功耗的計(jì)算方...
2025-01-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)頻率 2749 0
耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類...
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部...
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSF...
隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對功率密度的需求日益提高,系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...
用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運(yùn)行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,尤其是那些部署在偏遠(yuǎn)地區(qū)并由電池...
DC/DC轉(zhuǎn)換器電路中MOSFET的選擇指南(上)
本系列文章以轉(zhuǎn)換器 IC 評估板的參考電路為主題,說明選擇各種分立元件時(shí)的重要特性。在講解過程中,通過使用 LTspice 改變元器件或元器件本身的常數(shù)...
2025-01-10 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 2179 0
在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中,一般要有兩個(gè)MOSFET,體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求,卻繞不過簡單和小巧。
2025-01-09 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 894 0
提升開關(guān)電源效率的理論分析與實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)
在這里有電源技術(shù)干貨、電源行業(yè)發(fā)展趨勢分析、最新電源產(chǎn)品介紹、眾多電源達(dá)人與您分享電源技術(shù)經(jīng)驗(yàn),關(guān)注我們,與中國電源行業(yè)共成長! 提升開關(guān)電源效率的理論...
2025-01-09 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 983 0
臺懋半導(dǎo)體MOS管:在 RGB 控制器中的卓越表現(xiàn)
一、行業(yè)背景在當(dāng)今絢麗多彩的電子世界里,從璀璨奪目的舞臺燈光,到酷炫迷人的電腦機(jī)箱燈帶,再到智能家居設(shè)備那靈動多變的指示燈,RGB控制器宛如一位神奇的“...
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