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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

仁懋MOSFET助力UPS電源，守護(hù)設(shè)備安全穩(wěn)定運(yùn)行

隨著科技的發(fā)展，電力需求日益增長(zhǎng)，不間斷電源（UPS）在保障電力穩(wěn)定供應(yīng)方面發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。仁懋MOSFET產(chǎn)品憑借其高性能、高可靠性的特點(diǎn)，在...

2024-11-22 標(biāo)簽：MOSFET UPS電源仁懋電子 431 0

由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門(mén)的最基本單元CMOS介紹

介紹了芯片最基本的單元——MOSFET，和由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門(mén)的最基本單元——CMOS。?? MOSFET 芯片最底層的原理二進(jìn)制運(yùn)算，所以我...

2024-11-22 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 915 0

一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。

2024-11-20 標(biāo)簽：MOSFET SiC 加工工藝 979 0

全方位解剖MOS管

全方位解剖MOS管功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?（1）：等效電路（2）：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)...

2024-11-20 標(biāo)簽：MOSFET MOS管等效電路 744 0

基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究

近日，在西安·曲江國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2024中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)（CPEEC & CPSSC 20...

2024-11-18 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 822 0

仁懋MOSFET在智能穿戴上的科技應(yīng)用

隨著科技的飛速發(fā)展，智能穿戴產(chǎn)品已成為現(xiàn)代生活的必須。在這個(gè)追求個(gè)性與便捷的時(shí)代，仁懋電子憑借其高性能的MOSFET產(chǎn)品，為智能穿戴市場(chǎng)注入動(dòng)力。今天，...

2024-11-15 標(biāo)簽：MOSFET 智能穿戴仁懋電子 667 0

MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后，MOS管為什么會(huì)炸管？原因分析

MOSFET炸管也有三大原因，電壓，電流，溫度，比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值，或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值，或者M(jìn)O...

2024-11-15 標(biāo)簽：MOSFET 電容電路設(shè)計(jì) 1.5萬(wàn) 1

基于SiC模塊的電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)

壓縮機(jī)是汽車(chē)空調(diào)的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車(chē)內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力，通過(guò)皮帶...

2024-11-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET 壓縮機(jī) 718 0

電源IC U2281產(chǎn)品簡(jiǎn)介

數(shù)字化產(chǎn)品、定制化產(chǎn)品正成為今年“雙11”的新寵，驅(qū)動(dòng)數(shù)字消費(fèi)增長(zhǎng)。消費(fèi)者對(duì)于高科技產(chǎn)品的需求將持續(xù)增加，特別是在智能家居和個(gè)人健康設(shè)備方面，而且越來(lái)越...

2024-11-13 標(biāo)簽：MOSFET 開(kāi)關(guān)電源電源IC 846 0

MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容？居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題？

Part 01 前言在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間，其漏源電壓Vds的變化率，即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 電容 MOS 1.6萬(wàn) 0

上海貝嶺功率器件在電動(dòng)輕便摩托車(chē)控制器的應(yīng)用解析

在中國(guó)電動(dòng)兩輪車(chē)已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ?。隨著電動(dòng)自行車(chē)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn)，電動(dòng)自行車(chē)向著低速、高安全性和長(zhǎng)續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 控制器功率器件 1131 0

汽車(chē)48V電氣系統(tǒng)解決方案

早期汽車(chē)的 12V 電氣系統(tǒng)只能滿足點(diǎn)火和基本照明需求。隨著現(xiàn)代汽車(chē)引入了電動(dòng)轉(zhuǎn)向、泵和暖通空調(diào)(HVAC)等高能耗設(shè)備，電力需求大幅增加，對(duì) 12V ...

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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率損耗分析

高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...

2024-11-11 標(biāo)簽：二極管 MOSFET IGBT 922 0

電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器選型指南

電隔離式（GI）柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...

2024-11-11 標(biāo)簽：MOSFET 功率放大器安森美 980 0

一文看懂SGT MOSFET的市場(chǎng)前景

uSGT MOSFET的市場(chǎng)前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SG...

2024-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體工藝 7812 0

三極管的分類方法和關(guān)鍵參數(shù)

三極管在電路設(shè)計(jì)與維修中無(wú)處不在，從簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)控制到復(fù)雜的信號(hào)放大，三極管都有其獨(dú)特的應(yīng)用場(chǎng)景。初學(xué)者往往只看到“它有三個(gè)腳”，但從實(shí)際應(yīng)用來(lái)看，不同類...

2024-11-06 標(biāo)簽：放大器三極管 MOSFET 3189 0

如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓

上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓?，F(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。

2024-11-04 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器 MOSFET 719 0

單相智能電表開(kāi)關(guān)電源方案-PN8143T

一、概述PN8143T內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。PN8143T單相智能電表開(kāi)關(guān)電源方...

2024-11-01 標(biāo)簽：MOSFET 開(kāi)關(guān)電源智能電表 1363 0

軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD-Embedded）技術(shù)，可以...

2024-10-31 標(biāo)簽：MOSFET 嵌入式三菱電機(jī) 1388 0

功率MOSFET的選型法則

功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝...

2024-10-30 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 N溝道 978 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車(chē)有所認(rèn)識(shí)，它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車(chē)的原理，智能循跡小車(chē)的應(yīng)用，智能循跡小車(chē)程序，循跡小車(chē)用途等知識(shí)吧！
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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