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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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開關(guān)電源的尖峰干擾是一個復(fù)雜而重要的問題,它主要源于開關(guān)電源內(nèi)部高頻開關(guān)器件的快速通斷過程。這種干擾不僅影響開關(guān)電源本身的性能,還可能對周圍的其他電子設(shè)...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源尖峰干擾 2304 0
在電子工程中,柵極電阻的取值對于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個常見的取值,但這個選擇并非隨意,...
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場效應(yīng)晶體管 1.2萬 0
隨著開關(guān)電源的工作頻率增加,以及隨著同步整流控制器對控制閾值精度以及響應(yīng)速度要求的不斷提高,開關(guān)損耗更低、高頻特性更好的第三代化合物半導(dǎo)體同步整流將是更...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源同步整流 620 0
許多工程師經(jīng)過對上海雷卯的 ESD TVS 二極管多年的驗證使用后產(chǎn)生信任,進而開始選用雷卯的 MOSFET。上海雷卯始終致力于嚴(yán)格把控產(chǎn)品質(zhì)量以及滿足...
2024-09-29 標(biāo)簽:二極管ESD開關(guān)電路 632 0
這個功率MOSFET是使用米特克的先進的屏蔽柵MOSFET技術(shù)。這項先進的技術(shù)是特別定制的為了最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能優(yōu)良,并能承...
2024-09-26 標(biāo)簽:充電MOSFET開關(guān)電源 882 0
DC-DC變換器,即直流-直流變換器,是一種在直流電路中將一個電壓值的電能轉(zhuǎn)換為另一個電壓值的電能的裝置。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要不同電...
在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時,需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 1168 0
P溝道增強型場效應(yīng)管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 1684 0
P溝道增強型場效應(yīng)管,簡稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管p溝道 2934 0
N溝道增強型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
N溝道增強型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
N溝道增強型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子工程領(lǐng)域中都扮演著重要角色,盡管它們都屬于場效應(yīng)晶體管(FET)家族,但...
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